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현대엔지니어링, ‘힐스테이트 모종 네오루체’ 견본주택 16일 개관

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Friday, April 16, 2021, 11:04:21

아산모종1지구 내 지하 1층~지상 최고 27층 9개동·총 927세대 단지

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ현대엔지니어링(대표 김창학)은 16일 충청남도 아산시 아산모종1지구 내에 들어서는 ‘힐스테이트 모종 네오루체’의 견본주택을 열고 본격적인 분양에 나선다고 밝혔습니다.

 

‘힐스테이트 모종 네오루체’는 지하 1층~지상 최고 27층, 9개동, 전용면적 74~99㎡, 927세대 규모로 조성됩니다. 전용면적별로는 ▲74㎡ 194세대 ▲84㎡ 622세대 ▲99㎡ 111세대로 구성됩니다.

 

‘힐스테이트 모종 네오루체’는 아산 모종지구 중심 입지로 교육 및 생활환경이 잘 갖춰졌다는 평가입니다. 단지 옆에 신리초와 모종동 학원 등을 도보로 이용 가능하며 온양여중·고, 한올중·고 등이 가깝습니다. 이마트, 롯데마트, 하나로마트, 롯데시네마, 충무종합병원 등 편의시설이 도보거리에 위치하며 대전지방법원 천안지원 아산시법원, 한마음 야구장, 이순신종합운동장 이용도 편리합니다.

 

아울러 교통 여건도 좋습니다. 지하철1호선 온양온천역 및 풍기역(예정)과 아산시외버스터미널, 천안아산역(KTX), 아산IC(예정) 등이 가까워 서울, 수도권 및 전국으로 이동이 편리합니다. 온천대로를 통한 아산 도심 및 천안으로의 이동도 수월하며 서해안 고속도로와 경부고속도로, 21번국도, 45번국도 등을 이용한 수도권 및 천안, 당진 등 인접 도시 접근이 용이합니다.

 

‘힐스테이트 모종 네오루체’ 단지 내부는 판상형 및 남향 위주로 배치해 채광 및 통풍이 우수하다. 동간 거리를 최대한 넓혀 단지 쾌적성 및 개인 프라이버시를 강화했다고 밝혔습니다.

 

4Bay 판상형 구조인 전용 74㎡A·전용 84㎡A 는 편리한 동선이 확보된 ‘ㄷ’자형 주방에 현관 팬트리, 대형 드레스룸 등 수납공간도 풍부합니다. 특히 전용 84㎡A 에는 주방 팬트리가 추가로 제공됩니다. 전용 84㎡B는 2면 개방형 탑상형 구조로 거실과 주방이 연결된 LDK(Living-Dining-Kitchen) 설계 구조로 우수한 개방감이 특징입니다.

 

중대형 면적인 전용 99㎡A의 경우 5Bay 판상형 구조로 설계됩니다. 현관과 복도 내 팬트리가 구성돼 공간활용성이 뛰어나며 채광 및 통풍이 가능한 대형 드레스룸이 마련됩니다. 주방의 경우 발코니 확장 시 주방 팬트리가 추가로 제공되고 독립형 아일랜드 등 차별화된 특화 설계도 적용됩니다.

 

‘힐스테이트 모종 네오루체’ 단지가 위치한 충청남도 아산시는 부동산 비규제지역으로 각종 규제에서도 비교적 자유롭습니다. ‘힐스테이트 모종 네오루체’는 전매제한 기간이 없으며 청약자격, 대출제한 등 각종 규제에도 상대적으로 자유롭습니다.

 

현대엔지니어링 분양 관계자는 “미래가치가 높은 아산모종1지구에 공급되는 브랜드 대단지로 부동산 비규제지역인 데다 선호도 높은 4Bay 판상형 위주로 상품을 구성한 만큼 실수요자들의 관심이 뜨거울 것으로 보인다”고 말했습니다.

 

한편 신종코로나바이러스감염증(코로나19) 감염 예방을 위해 견본주택은 사전 방문 예약제로 운영합니다. 사전 방문 예약 방법은 홈페이지를 통해 예약 신청이 가능하며 예약신청 고객 본인 외 동반 1인만 입장이 가능합니다. 마스크 착용 의무화, 열화상 카메라, 전신소독기, 손세정제 등을 비치하며 또한 견본주택 내 방역소독을 정기적으로 실시하여 클린 견본주택을 운영할 예정입니다.

 

‘힐스테이트 모종 네오루체’ 견본주택은 충청남도 아산시 모종동 401번지에 마련되며 입주는 2023년 하반기 예정입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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