검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Estate 건설/부동산

[다음주 분양] 전국 35개 단지 1만4787가구 분양...‘호반써밋수성’ 外

URL복사

Saturday, April 10, 2021, 06:04:00

인더뉴스 안정호 기자ㅣ오는 4월 셋째 주에는 전국 35개 단지에서 총 1만4787가구(일반분양 3814가구)의 청약 접수를 진행합니다.

 

부동산114에 따르면 다음 주 청약은 ▲경기 용인시 처인구 김량장동 ‘용인드마크데시앙’ ▲대구 수성구 두산동 ‘호반써밋수성’ ▲전남 광양시 황금동 ‘광양푸르지오더센트럴’ 등입니다.

 

견본주택은 경기 양주시 옥정동 ‘양주옥정린파밀리에’, 경기 남양주시 와부읍 ‘덕소강변라온프라이빗’, 경북 포항시 흥해읍 ‘한화포레나포항’ 등 11곳이 개관을 앞두고 있습니다.

 

 

4월 13일 태영건설(대표 이재규)은 경기 용인시 처인구 김량장동 309번지 일원에 ‘용인드마크데시앙’을 선보입니다.

 

단지는 지하 3층~지상 최고 37층, 8개 동, 전용면적 51∼84㎡, 총 1308가구 규모로 1069가구를 일반분양합니다. 단지에서 반경 1km 내에 용인초·용인중·태성중·태성고가 위치합니다. 또한 용인중앙공원을 비롯해 돌봉산, 봉두산, 마평동산 등 녹지시설이 있어 쾌적한 생활이 가능합니다. 용인경전철 에버라인 운동장·송담대역과 용인공용버스터미널도 가까워 대중교통 이용이 편리하며 영동고속도로(용인IC) 등을 통해 주변 지역 이동이 편리합니다.

 

 

같은 날 호반건설(대표 박철희)은 대구 수성구 두산동 85번지 일원에서 ‘호반써밋수성’ 분양에 나섭니다.

 

단지는 지하 2층~지상 49층, 3개 동으로 아파트는 전용 42~172㎡ 301가구, 오피스텔은 전용 79㎡, 168실로 총 469가구 규모입니다. 단지 내 주민공동시설로는 피트니스, 어린이놀이터, 독서실, 북카페, 경로당 등이 있습니다. 주변으로 들안길초교를 비롯해 경신고·경북고·대륜고·정화여고·대구과학고 등이 가깝습니다. 인근에는 도시철도 3호선 황금역이 위치하고 동대구로, 청수로, 신천대로, 수성 IC 등을 통해 시내외 접근이 용이합니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너