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‘배터리 전쟁 2차전’, SK이노 승기 잡아...美 ITC “SK이노, LG측 배터리 특허 침해 안해”

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Thursday, April 01, 2021, 11:04:29

LG “최종 결정서 특허 유효성 소명”..SK “독자적인 기술력을 인정받은 것”
배터리 영업비밀 침해서 파생된 소송

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ미국 국제무역위원회(ITC)가 LG에너지솔루션(대표 신학철)과 SK이노베이션(대표 김준) 간 배터리 영업 비밀 침해 사건에 대한 예비결정에서 이번엔 SK이노베이션의 손을 들어줬습니다.

 

1일 배터리 업계에 따르면 ITC는 지난달 31일(현지시간) LG에너지솔루션이 제기한 배터리 분리막 등 특허침해와 관련해 SK이노베이션이 관련 특허를 침해하지 않았다고 예비 결정(Initial Determination)을 내렸습니다.

 

LG에너지솔루션은 지난 2019년 SK이노베이션이 배터리 분리막과 관련해 자사의 미국특허 3건, 양극재 미국 특허 1건 등 4건 침해했다며 ITC에 소송을 제기한 바 있습니다. 아울러 델라웨어 연방지방법원에도 이들 특허 4건에 양극재 미국 특허 1건까지 총 5건에 대한 특허 침해 금지 및 손해배상 청구 소송을 제기했습니다.

 

하지만 ITC는 이번 예비결정에서 분리막 코팅과 관련한 SRS 517 특허 건에 대해 유효성은 인정했지만 SK측이 특허를 침해하지는 않았다고 판단했습니다. 또한 SRS 241과 152, 양극재 877 등 나머지 3건에 대해서는 LG측 특허의 유효성이 없고 SK측의 특허 침해도 없다고 결정한 것입니다.

 

이번 특허 침해 소송은 LG측의 승리로 최종 결론이 난 배터리 영업비밀 침해 소송에서 파생된 사건입니다. 하지만 소송은 별건으로 병합되지 않습니다. 이에 최근 결정된 “SK이노베이션의 LG에너지솔루션 영업비밀 침해”의 결론이 달라지지 않습니다.

 

LG-SK 간 특허 침해 소송은 2019년 4월 영업비밀 침해 소송을 당한 SK이노베이션이 방어 차원에서 같은 해 9월 LG를 상대로 특허 침해 소송을 제기하자 LG가 같은 달 또다시 SK측이 특허를 침해했다고 ITC에 맞소송을 제기한 것입니다.

 

이번 특허 침해 소송은 오는 현지시간으로 8월 2일 ITC 위원회의 최종 결정(Final Determination)과정을 거쳐 확정됩니다. 아울러 SK측 LG측을 상대로 먼저 제기한 ITC 특허 침해 소송은 아직 예비 결정이 나오지 않았습니다.

 

한편 SK이노베이션은 이번 결론에 대해 “ITC의 결정을 환영한다”며 “이번 예비결정은 SK이노베이션의 독자적인 기술력을 인정받은 것”이라고 밝혔습니다.

 

LG에너지솔루션은 “이번 ITC결정은 아쉽지만 존중한다”면서 “예비결정에서 분리막 코팅 관련 핵심특허인 517 특허가 유효성은 인정받은 만큼 최종 결정에서 침해를 입증할 수 있도록 하고 나머지도 특허의 유효성을 인정받도록 소명하겠다”고 말했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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