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LH 땅투기 의혹 7명 추가돼 20명...정 총리 “불법 투기행위 공직자 바로 퇴출”

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Thursday, March 11, 2021, 15:03:25

광명·시흥 집중적..타 3기 신도시 지역에도 의심사례
"LH 필요성에 대한 국민적 질타에 답해야 할 것"

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ정부는 한국토지주택공사(LH) 직원들의 3기 신도시 땅 투기 의혹에 대해 국토교통부와 LH 전체 직원 1만4000여명을 대상으로 토지거래를 조사한 결과 총 20명의 투기 의심 사례를 파악했다고 밝혔습니다.

 

지난 2일 민변·참여연대가 제기한 투기 의심 직원 13명 외에 7명이 추가로 적발된 것입니다.

 

정세균 국무총리는 11일 오후 정부서울청사에서 이 같은 내용의 정부 합동조사단의 조사 결과를 발표했습니다. 이번에 확인된 투기 의심 사례는 주로 광명·시흥 지구에 집중됐지만 다른 3기 신도시 지구에서도 포착됐습니다.

 

정 총리는 이날 정부서울청사에서 정부합동조사단의 1차 조사결과에 대해 “부동산 시장에서 자행되는 불법과 불공정 행위를 엄단할 특단의 방안을 마련해 강력히 집행하겠다”고 강조했습니다.

 

아울러 “이번 조사 과정에서 토지 외의 주택 거래내역을 확인했다”며 “대부분이 아파트로, 고양시 행신동과 남양주 다산신도시 등 거래내역 모두를 특별수사본부에 이첩할 것”이라고 말했습니다.

 

정부는 국토부와 LH 임직원에 대한 조사에 이어 경기·인천의 기초 지방자치단체, 지방공기업 임직원의 토지 거래를 조사할 예정입니다. 또한 국토부와 LH 임직원의 배우자와 직계존비속에 대해선 특별수사본부가 수사하도록 했습니다.

 

정 총리는 “정부는 자신들의 주머니를 채운 공기업과 공무원들의 범죄를 절대로 용서하지 않겠다”며 “정부는 모든 의심과 의혹에 대해서 이 잡듯 샅샅이 뒤져 티끌만한 의혹도 남기지 않겠다”고 했습니다.

 

또한 정 총리는 “기존의 방식과 제도로는 더는 공직자의 탐욕을 척결할 수 없다고 판단했다”며 “공직자의 투기는 국민에 대한 배신이자 국가 기강을 무너뜨리는 범죄다. 법으로 무겁게 단죄해야 한다”고 말했습니다. 이어 “코로나 방역처럼 가혹할 정도로 국민이 그만하라고 할 때까지 철저하게 조사하고 수사할 것”이라고 강조했습니다.

 

그러면서 “불법 투기행위를 한 공직자 등은 곧바로 퇴출하겠다”며 “현재의 법과 제도를 총동원해 투기이익을 빠짐없이 환수하겠다”고 했습니다.

 

정 총리는 LH와 임직원을 겨냥해 “과연 기관이 필요한가에 대한 국민적 질타에 답해야 할 것”이라며 “국민의 신뢰는 회복 불능으로 추락했다”고 지적했습니다.

 

한편 이날 정 총리는 기존 계획했던 공공주택 공급에 대해 “주택시장 안정을 위해 차질없이 이행하겠다”며 “떨어진 국민의 신뢰를 회복하기 위해 내각 전체가 긴장된 자세로 업무에 매진하겠다”고 강조했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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