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5G ‘자급제’ 스마트폰으로 LTE 요금제 가입 가능해진다

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Thursday, August 20, 2020, 15:08:09

과기부, 이통사 약관 변경..기존 LTE 유심변경 방식

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 앞으로 5세대(5G) 이동통신 스마트폰을 자급제로 구매해 롱텀에볼루션(LTE) 요금제에 가입할 수 있게됩니다.

 

20일 과학기술정보통신부(이하 과기정통부)는 5G 자급단말로 LTE 서비스 신규가입이 공식적으로 가능해진다고 밝혔습니다. 이에 따라 이동통신 3사도 오는 21일 자로 약관을 변경해 신고했습니다. LG유플러스만 전산작업 등으로 28일부터 개통 할 수 있습니다.

 

이동통신사들은 3세대(3G) 이동통신에서 LTE로 전환하던 시점부터 신규 통신세대를 지원하는 단말기로 이전 통신세대 요금제에 가입하는 것을 제한해왔습니다. 이용가능한 단말이 기존 통신세대에 존재한다는 것과 기업의 영업활동을 침해한다는 게 이유였습니다.

 

다만 5G 상용화 이후 소비자단체와 국회에서 “자급단말이 확대되고 있는 점 등을 고려해 5G 자급단말로 LTE 서비스 가입을 가능케 하는 대책 및 5G 커버리지(수신범위) 설명 보완 등이 필요하다”는 지적이 이어졌습니다.

 

정부는 이를 반영해 소비자단체·사업자·전문가 등이 참여하는 통신서비스 제도개선자문위원회를 열고 개선안을 내놨는데요. 요금제 가입은 기존 LTE 유심을 빼서 그대로 사용하는 유심기변 방식으로 이뤄집니다. 이동통신사들이 이러한 약관과 다르게 서비스할 경우 전기통신사업법 제50조 금지행위에 해당해 방통위 제재대상이 됩니다.

 

이와 함께 5G 가입 신청 시 대리점과 판매점 등 일선 유통망에서 5G 커버리지를 포함해 주요사항에 대한 고지도 보다 강화하도록 했습니다. 구체적으로 ▲5G 이용 가능 지역 및 시설 ▲주파수 특성상 실내·지하 등에서는 상당기간 음영이 있을 수 있는 점 ▲3.5GHz 주파수 대역으로 서비스가 제공되고 있는 점 등을 알려야합니다.

 

한편 이동통신사에서 지원금을 받고 요금제를 변경(5G → LTE 등)하는 경우 발생할 수 있는 지원금 차액(위약금) 관련한 정산 프로그램 등에 대해서도 정식으로 약관에 반영하도록 했습니다.

 

과기부는 “이는 중요한 이용조건에 해당함에도 그간 이동통신사는 자체 정책에 따라 약관 대신 부가서비스 형태로 운영하며 잦은 변경 가능성과 부가서비스 신청자에 한해 적용되는 불확실성 등 문제가 있었다”며 “이번에 약관으로 편입해 불확실성을 제거하는 한편 향후 정부의 심사대상이 되도록 한 것”이라고 설명했습니다.

 

통신서비스 제도개선자문위원회에 참여 중인 정지연 한국소비자연맹 사무총장은 “자급단말이 늘어나는 추세 속에 5G 자급단말로 LTE 신규가입이 가능해졌고 중도에 5G에서 LTE로 이동 시 지원금 차액정산(위약금)에 대한 불확실성이 등 개선이 이뤄졌다”며 “소비자단체 의견을 존중해 부분적이나마 보완이 이루어진 점은 환영한다”고 말했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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