검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Chemical 중화학

“이차전지 경쟁력 강화 도모”…포스코퓨처엠, 정부에 지원 건의

URL복사

Monday, January 29, 2024, 17:01:18

임상준 환경부 차관..포항 인조흑연 음극재 공장 방문
현장 간담회 열고 환경부에 적극 역할 및 지원 요청
임 차관 “이차전지 육성 지원방안 적극 모색” 약속

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ포스코퓨처엠[003670]이 이차전지 산업 경쟁력 강화를 위해 정부 차원에서의 지원이 필요하다고 건의했습니다.

 

29일 포스코퓨처엠에 따르면, 이날 임상준 환경부 차관은 포스코퓨처엠 포항 인조흑연 음극재 공장을 찾아 김준형 포스코퓨처엠 사장 및 주요 임원들과 간담회를 진행했습니다.

 

임상준 차관의 이번 방문은 이차전지 산업을 녹색 전략산업으로 육성하기 위한 지원방안을 모색하고 현장의 애로사항에 대해 청취하고자 이뤄졌습니다.

 

포스코퓨처엠은 양음극재 사업 현황과 향후 투자계획에 대해 설명했습니다. 이후 글로벌 시장에서 경쟁력을 확보할 수 있도록 환경인프라 확충 과 환경규제 개선 등 환경부의 적극적인 역할과 지원을 요청했습니다.

 

특히, 중국 등 해외와 비교했을 때 환경설비 투자비가 높아 국가 이차전지 산업 경쟁력 강화를 위해 환경설비 투자에 대한 정부 지원과 인처가 절차 간소화가 필요하다는 점에 대해서도 건의했습니다.

 

이와 함께, 온실가스 감축에 기여하는 기업을 대상으로 대출 이자 일부를 보전하는 환경부 녹색정책금융사업의 혜택을 받을 수 있도록 지원을 요청하기도 했습니다.

 

김준형 포스코퓨처엠 사장은 "녹색 정책금융 사업 추진에 대해 감사하고 실제 집행까지 지속적인 관심을 부탁드린다"며 "공공 폐수처리 및 공업용수 시설 신증설 등 환경인프라 지원에 힘입어 포스코퓨처엠이 국가 이차전지소재산업의 선봉장이 되겠다”고 말했습니다.

 

임상준 차관은 "관련 정책 현안들을 살피고 산업단지 내 용수 공급, 녹색 정책금융 지원 등 이차전지 산업 육성을 위한 지원방안을 적극 모색할 것"이라고 밝혔습니다.

 

포스코퓨처엠은 올해 인조흑연 음극재 생산능력을 8000톤에서 1만8000톤까지 늘리고, 추가 투자를 통해 생산규모를 더욱 확대할 계획입니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr

배너

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




배너