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포스코·그래핀스퀘어 협력 성과, 중기부 동반성장 우수사례 선정

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Tuesday, November 07, 2023, 17:11:22

중기부 ‘윈윈 아너스 프로젝트’ 우수사례로 선정
포스코 “상생협력 문화 확산 지속 노력” 약속

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ포스코는 벤처기업인 그래핀스퀘어의 상생협력 성과가 중소벤처기업부 주관 '윈윈 아너스 프로젝트'의 우수사례로 선정됐다고 7일 밝혔습니다.

 

'윈윈 아너스 프로젝트'는 대기업 등이 중소기업과 함께 추진한 상생활동을 대상으로 동반성장 우수사례를 선정해 이를 확산시키고자 마련한 중기부의 프로젝트입니다.

 

중기부는 각 기업별 동반성장 사례의 중요성, 난이도, 이행노력, 추진성과, 지속가능성 등을 평가해, 포스코와 그래핀스퀘어의 상생활동을 포함한 총 5건의 우수사례를 발표했으며, 7일 윈윈 아너스 기념패 수여식을 진행했습니다.

 

포스코는 그동안 그룹 차원에서 보유한 인프라를 활용해 벤처기업들의 창업보육, 제품개발, 판로개척 등을 지원하고, 성장 단계별 특성에 맞게 투자하는 등 '벤처플랫폼'을 구축해 벤처 생태계 활성화에 기여해 왔습니다.

 

이번에 우수사례로 선정된 그래핀스퀘어는 포스코가 벤처플랫폼을 통해 지원하는 기업 중 하나로, 대면적 화학기상증착법(CVD)을 이용해 그래핀을 연속생산할 수 있는 특허 기술을 보유한 첨단 나노소재 기업입니다.

 

포스코는 지난 2021년부터 포항시와 포스텍, RIST(포항산업과학연구원) 등과 함께 산·학·연·관 협력 체계를 구축하였고, 그래핀스퀘어에 생산, 설비기술, 인력을 지원해 왔습니다.

 

그래핀스퀘어는 포스코와 포스텍, RIST 등이 자체 보유한 우수한 인프라 활용을 위해 2021년 수도권에서 포항으로 본사를 이전했으며, 포스코가 운영 중인 벤처창업 인큐베이팅 센터인 '체인지업그라운드 포항'과 포스텍 나노융합기술원에 입주했습니다.

 

이와 함께, RIST로부터 그래핀 생산과정에서 발생하는 폐수 저감 기술을 이전받았으며, 포스코를 통해서는 그래핀 양산의 핵심인 연속생산 방식, '롤투롤' 공정에 관한 기술 자문을 제공받았습니다.

 

포스코의 전방위적 지원을 바탕으로 그래핀스퀘어는 그래핀 응용기술 개발 R&D 및 양산체제 구축에 매진해 지난해 11월 포스텍 내 그래핀웨이퍼 생산 라인을 준공했으며, 현재 포항 블루밸리 산업단지에 양산 공장 건설을 추진 중입니다.

 

그래핀스퀘어의 기술 적용 제품은 CES 2023 '최고혁신상' 및 2022년부터 2년 연속 미국 타임지 선정 '올해의 최고 발명품상'을 수상했습니다. 또, 삼성벤처투자, 에코프로 파트너스 등으로부터 약 200억 상당의 투자 유치에도 성공하는 성과를 거두기도 했습니다.

 

포스코 관계자는 "그래핀스퀘어와의 동반성장 노력과 성과를 공유하고 앞으로도 협력과 파트너십에 기반한 상생협력 문화가 확산될 수 있도록 지속적으로 노력해 나갈 계획"이라고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




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