
인더뉴스 권용희 기자ㅣ삼성전자[005930]는 업계 최초 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔습니다.
32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량으로 연내 양산에 들어간다는 계획입니다. 삼성전자는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어, 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 기술 리더십을 더욱 공고히 했습니다.
32Gb 제품은 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했습니다. 128GB(기가 바이트) 모듈을 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술 'TSV' 공정없이 제작 가능하게 됐습니다.
삼성전자는 "동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능하다"면서 "데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다"고 밝혔습니다.
삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나간다는 계획입니다. 또한 AI시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 방침입니다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 말했습니다.