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원금 4200만원, 이자 800만원…‘청년도약계좌’ 6월 출시

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Wednesday, March 08, 2023, 16:03:09

월 70만원 한도로 납입하면 정부기여금 보조
기여금은 소득수준별 차등…금리는 추후 공시
5년 만기시 약 5000만원 수령 가능

 

인더뉴스 문승현 기자ㅣ정부가 청년층의 목돈 마련을 돕는 '청년도약계좌'가 오는 6월 출시됩니다. 8일 금융위원회에 따르면 청년도약계좌는 월 최대 납입액 70만원의 5년 만기 적금으로 요약됩니다.


정부는 가입자 소득수준이나 납입액에 따라 최대 6% 비율로 '기여금'을 산정해 지급하고, 이자소득에 비과세 혜택을 부여하는 게 특장점입니다.


먼저 가입 대상입니다. 개인소득으로 총급여 기준 7500만원 이하, 가구소득으로 중위 180% 이하를 모두 충족하는 만 19~34세 청년입니다.


총급여 기준 6000만원 이하는 정부기여금 지급과 비과세 적용 대상이지만 6000만~7500만원이면 정부기여금은 지급되지 않고 비과세 혜택만 주어집니다.


가입 연령을 계산할 때 병역이행자에 대해선 최장 6년까지 산입하지 않습니다. 다만 직전 3개년도 중 1회 이상 금융소득종합과세 대상자는 가입이 제한됩니다. 금융소득종합과세는 금융소득(이자소득+배당소득)이 2000만원을 초과할 때 부과됩니다.


정부기여금은 소득구간별로 차등을 둬 개인소득이 낮을수록 커집니다. 총급여 기준으로 2400만원 이하 저소득 청년의 기여금 매칭 비율은 월 납입액 대비 6%입니다. 40만원을 저축하면 월 2만4000원의 기여금이 지급되는 셈입니다.


금융위는 소득이 4800만원 이하이면 월 납입한도 70만원을 채우지 못하더라도 기여금을 모두 받을 수 있도록 설계했다고 설명했습니다.

 


청년도약계좌의 금리는 가입 후 3년동안 고정금리, 이후 2년은 변동금리를 적용할 예정입니다. 금융위는 3년을 초과해 고정금리가 적용되는 상품도 출시할 수 있도록 금융사들과 협의할 계획입니다.


금리 수준은 미정 상태입니다. 취급기관이 확정된 후 해당 금융회사가 금융협회 홈페이지에 공시하게 됩니다.


김소영 금융위 부위원장은 "향후 금리 수준에 따라 변동 여지가 있지만 기본적으로 만기 때 5000만원 내외를 찾을 수 있을 것으로 생각하면 될 것"이라고 말했습니다.


금융위는 소득 2400만원 이하 등 소득이 일정 수준 이하인 저소득 청년에 0.50%포인트(p)가량 우대금리를 부여하는 방안도 협의하겠다고 밝혔습니다.


최종 만기 수령액은 본인 납입금과 정부기여금, 경과이자가 합산된 금액으로 지급되고 이자소득에는 비과세 혜택이 적용됩니다.


부득이한 사유로 중도해지하는 경우에 대해선 불이익이 없도록 했습니다. 특별중도해지 사유는 조세특례제한법령에 규정된 ▲가입자 사망·해외이주 ▲가입자 퇴직 ▲사업장 폐업 ▲천재지변 ▲장기치료가 필요한 질병 ▲생애최초 주택구입 등 6가지입니다.


이에 해당하면 본인 납입금 외 정부기여금이 지급되고 비과세 혜택도 적용받을 수 있습니다.


청년도약계좌는 청년내일저축계좌, 청년(재직자)내일채움공제, 지자체 상품 등 복지상품이나 고용지원 상품과 동시가입이 허용됩니다.


단, 사업목적이 유사한 '청년희망적금'은 중복가입이 불가하며 만기 또는 중도해지 후 가입할 수 있습니다.


청년도약계좌는 윤석열 대통령이 대선공약에서 청년층에게 자산형성 기회를 만들어주겠다며 도입을 약속한 정책형 금융상품입니다. 공약 과제 단계에서 제시된 10년에서 현실성을 고려해 5년 만기로 줄었습니다.


금융위는 "청년도약계좌 취급기관이 모집된 이후 협의를 거쳐 취급기관 목록, 상품금리, 가입신청 개시일 등 자세한 사항을 최종 안내할 계획"이라고 밝혔습니다.

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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