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블루오벌SK, 미국 전기차 시장 공략 가시화

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Tuesday, December 06, 2022, 09:12:21

켄터키주 86GWh 규모 공장 기공식 가져
SK온·포드 합작사, 미국 내 최대 배터기 공장 첫삽

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣSK온은 5일(현지시간) 포드와 함께 미국 켄터키주 글렌데일에서 블루오벌SK 공장 기공식을 열었다고 6일 밝혔습니다. 

 

블루오벌SK는 글렌데일 일대 총 628만㎡(190만평) 부지에 각각 43GWh 규모의 배터리 1, 2공장을 건설할 계획입니다.

 

블로오벌SK는 SK온과 미국 포드자동차의 전기차 배터리 생산 합작법인으로 2025년 1분기부터 배터리 양산을 시작하면 순차적으로 연산 86기가와트시(GWh) 규모의 배터리를 공급할 수 있게 됩니다. 이는 미국 최대 규모의 배터리 공장 규모입니다. 

 

SK온과 포드는 지난해 5월 총 10조2000억원을 투자해 켄터키주와 테네시주에 연간 총 129GWh 규모의 배터리 생산기지 3개를 구축하기로 했습니다. 이는 대당 105kWh 배터리가 들어가는 포드의 F150 라이트닝 전기차 픽업트럭 기준으로 매년 약 120만대를 생산할 수 있는 규모입니다.

 

43GWh 규모의 블루오벌SK 테네시 공장도 2025년 가동을 목표로 연내 착공한다는 방침입니다. 테네시 공장은 테네시주 스탠턴 일대 1553만㎡(470만평) 부지에 포드 전기차 생산 공장과 같이 들어섭니다.

 

이날 기공식에는 최재원 SK온 수석부회장, 지동섭 SK온 대표이사 사장, 함창우 블루오벌SK 대표, 릴리아나 라미레즈 포드 글로벌 인력개발 디렉터, 앤디 베셔 켄터키주지사 등 400여명이 참석했습니다. 

지동섭 SK온 사장은 "블루오벌SK는 북미 자동차 시장 전동화의 핵심이 될 것"이라며 "블루오벌SK를 통해 SK온과 포드의 글로벌 전기차 시장 리더십이 더욱 공고해질 것"이라고 말했습니다. 

 

라미레즈 포드 디렉터는 "블루오벌SK는 포드가 전기차 혁명을 이끌 수 있도록 돕고 켄터키에 수천개의 새로운 하이테크 일자리를 가져올 것"이라고 기대를 나타냈습니다. 

 

베셔 주지사는 "켄터키주가 미국 전기차 배터리 생산 수도로 자리매김하는 데 크게 기여할 것"이라고 말했습니다. 

 

시장조사업체 SNE리서치에 따르면 올해 1∼10월 북미 시장에서 SK온 배터리 사용량은 5.4GWh로, 작년 동기보다 646% 증가했으며 시장 점유율도 7위에서 4위로 상승했습니다. SK온은 2025년 북미 배터리 생산 능력을 약 180GWh까지 늘리는 등 2030년까지 500GWh 규모의 생산능력을 확보한다는 방침입니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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