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건축물 해체공사, 신고 대신 ‘허가’…안전 강화

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Tuesday, August 02, 2022, 14:08:25

2월 개정된 건축물관리법 하위법령 4일부터 시행
공사장 주변 위험요소 있을 시 무조건 허가 받아야
교육 받아야 감리자 자격..허가권자 권한도 강화

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ지난해 6월 17명의 사상자를 낸 광주 학동 해체건축물 붕괴사고와 같은 안전사고를 사전 차단하기 위해 마련된 건축물 해체공사 개정법령안이 오는 4일부터 시행됩니다.

 

국토교통부는 건축물 해체공사 전 과정에서 안전을 강화하고자 지난 2월 개정한 건축물관리법 하위법령을 오는 4일 공포 및 시행한다고 2일 밝혔습니다. 국토부는 해체공사의 안전관리 사항을 신축공사 수준으로 강화해 안전사고를 원천 차단한다는 계획입니다.

 

개정안에 따르면, 해체 과정인 허가, 감리, 시공 과정에 있어 기준을 현행 기준보다 한 단계 강화했습니다. 우선 허가 과정에서는 허가받아야 하는 해체공사 대상을 확대 조치하고 허가 대상은 의무적으로 건축위원회 심의를 받도록 개정했습니다.

 

공사장 주변 일정반경 내 버스정류장 위치, 일정폭 이상 도로주변 등 공사장 주변에 위험요소가 존재할 시 건축물 규모가 해체신고 대상이더라도 해체허가를 받아야 합니다. 건축위원회 심의의 경우 허가권자가 해체공사와 관련한 계획서‧공법 및 안전조치방안 등의 적정성을 철저히 검토하려는 목적입니다.

 

아울러, 해체공사 대상 건축물과 주변 조사, 공법, 작업 순서 등을 계획한 보고서인 해체계획서도 전문가가 직접 작성해야 합니다. 현행 법령으로는 해체계획서 자격 기준이 없어 누구나 작성이 가능했으나 앞으로는 건축사, 기술사 등 전문가에게만 작성 자격이 부여됩니다.

 

감리 과정에서도 감리자의 전문성 및 전반적인 안전 수준 강화를 도모하고자 교육 및 시공기록을 의무화하도록 했습니다. 따라서, 감리 교육을 받았을 경우에만 감리자 자격으로 해체공사 감리 수행이 가능하며, 감리자는 건축물 마감재 해체 등 주요 공정 해체 작업 시 반드시 사진과 영상 등을 통한 기록물을 시스템에 매일 등록해야 합니다. 감리교육의 경우 매 3년간 이수해야 됩니다.

 

시공 과정에서는 계획서에 나온 대로 공사를 수행토록 하기 위한 차원으로 작업자들의 업무 및 처벌기준을 신설 및 강화했습니다. 처벌의 경우 기존 과태료 1000만원 이하에서 2년 이하 징역 또는 2000만원 이하의 벌금으로 강도를 높여 업무 기준을 필히 준수토록 했습니다.

 

이와 함께, 허가권자의 관리·감독 권한을 강화해 해체공사장의 위반사항 적발 시 즉시 개선 및 공사중지를 조치할 수 있는 규정을 마련했으며, 허가받은 내용과 달리 공법, 장비 등을 임의로 변경하지 못하도록 주요 사항 변경 시 허가권자가 변경계획 적정성을 검토하는 '변경허가' 제도도 도입됩니다.

 

엄정희 국토부 건축정책관은 "이번 개정을 통해 해체공사 현장의 안전성이 한층 제고될 것으로 기대한다"며 "건축물이 노후화·대형화·복합화됨에 따라 해체대상이 늘어나고 대형 해체사고가 일어날 수 있으므로 지속적으로 제도를 개선해 현장에서도 철저한 안전관리가 이뤄질 수 있도록 하겠다"고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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