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LG유플러스, 노키아와 함께 ‘6G 시대’ 선점 나선다

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Wednesday, July 06, 2022, 09:07:11

5G-Advanced 및 6G 분야 연구개발 협력 강화 업무협약 체결

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣLG유플러스는 글로벌 통신장비 제조업체 노키아와 함께 5G 어드밴스드(Advanced) 및 6G 분야 연구개발 협력을 강화하는 업무협약을 체결했다고 6일 밝혔습니다. 

 

이번 협약을 통해 양사는 5G의 진화 단계인 5G 어드밴스드, 그리고 6G에서 본격화될 '네트워크 구조 확장·주파수 확장·서비스 공간 확장 기술' 개발을 위해 긴밀하게 협력할 계획입니다. 

 

6G 네트워크에서는 오픈랜과 같이 이동통신 무선접속망(RAN)을 구성하는 기지국 등 무선 통신장비의 하드웨어와 소프트웨어를 분리하고, 서로 다른 제조사 장비 간 연동을 구현하는 표준기술이 필요합니다

 

이를 위해 양사는 오픈랜 관련 주요 기술인 ▲개방형 프론트홀 ▲Cloud RAN ▲무선접속망 지능형 컨트롤러(RIC) 등에 대한 공동 연구를 진행합니다. 이 같은 오픈랜 기술이 추후 상용화되면 통신사는 네트웍 구축에 유연성을 확보하고, 다양한 산업계로부터 기술혁신 기회를 창출할 수 있습니다. 

 

버려지는 에너지를 재사용하는 '에너지 하베스팅(Energy Harvesting)' 기술도 6G 네트워크를 확장하는 기술에 해당합니다. 양사는 신기술인 ‘액체 냉각 기지국’의 기술적 효용성과 활용 방안도 공동 연구할 계획입니다. 

 

6G 주파수 확장 기술 확보를 위해 차세대 안테나 기술인 '재구성 가능한 지능형 표면(RIS)' 관련 공동 연구도 함께 진행합니다. 양사는 6G 선행기술 검증 목적으로 필드 시험을 진행했으며 6G 주파수로 부각되는 테라헤르츠파 RIS 기술에 대해 공동으로 연구할 예정이다.

 

이 밖에도 양사는 6G 서비스 공간 확장 기술 확보를 위해 '비지상네트워크(NTN)' 관련 공동 연구도 함께 추진합니다. 비지상네트워크란 바다나 외딴 섬, 상공 등에도 일반적인 셀룰러 네트워크와 유사한 품질의 네트워크를 제공하는 기술입니다. LG유플러스는 한국과학기술원(KAIST)과 양자컴퓨터 D-wave를 통한 저궤도위성의 네트워크 최적화 연구를 진행한 경험이 있습니다. 

 

권준혁 LG유플러스 네트워크부문장은 "5G 네트워크의 고도화와 함께 6G 네트워크에 대한 준비를 철저히 수행해야 고객이 만족하는 품질 수준을 확보할 수 있다"며 "이번 노키아와의 협약을 통해 그간 LTE, 5G 네트워크 등에서 긴밀하게 협력해온 노키아와의 파트너십을 더욱 공고하게 할 수 있게 됐으며, 이를 바탕으로 6G 시대에도 LG유플러스만의 네트워크 경쟁력을 공고히 하는 기반을 만들겠다"고 말했습니다.

 

안태호 노키아 코리아 대표는 “지난 십여 년간 양사가 4G와 5G에서 보여준 기술협력이 5G 어드밴스드와 6G에서도 더욱 공고해질 것으로 본다”며 “이번 양해각서 체결을 통해 빠르게 진행 중인 5G 어드밴스드 및 6G 기술개발에 양사의 협력을 증진하게 됐고 향후 6G의 핵심기술인 오픈랜과 클라우드 RAN에서 양사의 협력이 미래 무선 기술의 구조를 검증해 상용화를 앞당기는 기술개발에 일조할 것으로 기대하고 있다”고 말했습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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