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기재부, 인수위 ‘4월 다주택자 양도세 중과 완화 요청’ 사실상 거부

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Monday, April 11, 2022, 16:04:17

부득이하게 2주택자 된 경우에만 1주택자 혜택 부여 검토

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ정부가 '다주택자 양도소득세 중과 완화'를 4월부터 1년 간 해 달라는 대통령직인수위원회의 요청에 대해 거절 의사를 밝혔습니다. 단, 부득이한 사유로 인한 일시적 2주택자는 1세대 1주택자 혜택을 동일하게 부여하는 방안을 검토하겠다는 입장입니다.

 

기획재정부는 11일 보도자료를 내고 다주택자 양도세 중과 한시배제에 대한 입장 및 올해 공시가격과 관련한 1가구 1주택자 종부세 완화방안 이슈에 대한 입장을 밝혔습니다.

 

기재부는 "다주택자 양도세 중과 한시 배제 조치는 새 정부 출범 직후 실시하는 것이 바람직하다"고 하며 인수위의 요청을 사실상 거부했습니다. 인수위는 앞서 지난 3월 31일 정부에 다주택자 양도세 중가세율 한시 배제에 대한 시행령 개정을 요청한 바 있습니다.

 

기재부는 "해당 정책목표를 달성하려면 주택공급, 금융, 세제 및 임대차 3법 이슈 등 부동산 관련 정책들이 유기적으로 결합돼 일관성 있게 추진될 필요가 있다"며 "다주택자 양도세 중과 한시 배제도 새 정부 출범 이후 새 정책기조 하에 마련될 종합적 부동산 정책 로드맵에 따라, 여타정책들과 연계하여 검토하고 추진되는 것이 바람직하다"고 이유를 밝혔습니다.

 

그러면서 "정부가 바뀌어 새 정부의 철학에 따라 정책기조를 변경하는 것은 불가피하겠지만 현 정부 임기 중에 주요 정책기조를 변경해 무주택자, 1주택자, 기 주택매각자 등에 대한 형평 문제가 나타나게 하는 것은 바람직하지 않다고 생각한다"고 덧붙였습니다.

 

다만, 이사 또는 상속 등의 부득이한 상황으로 인해 일시적 2주택자가 됐을 경우에 대해서는 1가구 1주택자와 같은 혜택을 부여하는 방안을 적극 검토하겠다고 설명했습니다.

 

기재부는 "실수요자 보호라는 일관된 정책기조의 연장선 상에서 법 개정을 통해 일시적 2주택에 대해 1가구 1주택자 혜택 부여 방안을 검토할 예정"이라며 "단, 일시적 2주택자에 대해 1가구 1주택자 혜택을 부여하는 것은 법률 개정사항으로 추가적인 입법조치가 필요하다"고 강조했습니다. 

 

현재 1가구 1주택자는 종부세 기본 공제금액이 공시가격 기준 11억원으로 일반 공제금액인 6억원보다 높으며 고령자·장기보유 세액공제를 최대 80%까지 받을 수 있습니다. 부부가 공동명의로 1주택자일 경우 각각 6억씩 총 12억원 공제를 받는 방법과 1주택자로 11억원 공제+고령자·장기보유 공제받는 방법을 선택할 수 있습니다.

 

정부 관계자는 "현 정부는 전환기적 상황에서 현재 추진 중인 공급확대 등 시장안정 조치에 만전을 다하면서 새 정부가 부동산 정책기조 변화를 모색할 수 있는 여건을 최대한 마련하는데 주력하겠다"고 말했습니다. 

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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