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‘깡통전세’ 피해 예방…공인중개사 손배액 2억 원으로 상향

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Wednesday, December 01, 2021, 09:12:24

정부, 청년 주거 개선 방안 마련
청년층 깡통전세 피해 막는 방안에 초점
전세임대 활성화·산단 청년 ‘행복주택’ 입주 확대도 포함

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ정부가 전세사기로 인한 청년들의 피해를 예방하기 위해 공인중개사 손해배상책임 금액을 1억원에서 2억원으로 상향합니다. 청년들이 안정적 주거환경에서 지낼 수 있도록 전세임대를 활성화하고 행복주택 입주자격 기회도 확대할 방침입니다.

 

지난 30일 국무조정실이 주최한 9개 청년정책 전담부서 관계차관 회의에 따르면, 정부는 총 17건의 제도개선 방안 가운데 청년 주거 관련 개선 방안 3건을 마련했습니다. 방안은 '임차인 보호장치' 강화를 통한 청년 전세사기 차단, 전세임대 활성화 방안 추진, 산업단지 근로 청년의 행복주택 입주 기회 확대입니다.

 

큰 틀은 집주인이 집을 매각해도 대출금과 보증금 상환이 어려워 전세보증금 미반환 우려가 있는 ‘깡통전세’로부터 청년을 보호하겠다는 것입니다. 현재 청년 임차인이 많은 다세대 주택에서 전세사기가 늘어 청년층의 피해가 적잖다는 것을 고려했습니다.

 

정부는 공인중개사법 시행령 개정을 통해 손해배상책임 금액을 1억원에서 2억원으로 상향해 피해를 예방한다는 방침입니다. 또, 지자체와 연계해 부동산중개인 의무 이행여부를 집중 점검하고 HUG 전세보증금반환보증 보증료를 지속 인하할 예정입니다.

 

청년주택 가운데 선호도가 높은 전세임대를 활성화하기 위한 방안의 경우 전세임대 진행 시 온라인 플랫폼을 바탕으로 계약가능 주택 정보를 제공하고 민간 플랫폼과의 매물을 상호 공유할 예정입니다. 임대인을 대상으로는 중개수수료 지원 등으로 적극적인 참여를 유도한다는 계획입니다.

 

또한, 산업단지 근로 청년들의 행복주택 입주 기회 확대는 주택 내 공실 발생 시 기업 도시근로자 입주자격을 100%에서 150%로 완화해 더 많은 산업단지 근로 청년들이 이용할 수 있도록 할 방침입니다. 

 

정부는 “청년의 목소리에 귀 기울이고 청년들이 생활 속에서 겪는 불편·부당함을 개선하고자 개선 방안을 추진하게 됐다”며 “실제 청년 삶과 연관돼 변화를 체감할 수 있는 실질적 제도개선에 중점을 뒀다”고 밝혔습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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