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[코스피 마감] 외인·기관의 매수세에 3280선 진입

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Wednesday, August 04, 2021, 16:08:21

1.34% 오른 3280.38

 

인더뉴스 최연재 기자ㅣ코스피가 외국인의 현선물 매수세에 힘입어 1% 이상 상승하며 3280선을 돌파했다. 중국 정부의 게임 산업 규제에도 미국 증시의 반등이 긍정적인 영향을 준 것으로 풀이된다.

 

코스피는 4일 전 거래일 대비 1.34% 오른 3280.38로 마감했다. 지수는 0.29% 내린 3246.65에서 출발해 상승폭을 키워가며 강세 흐름을 이어갔다.

 

이날 외국인은 9075억원어치의 물량을 사들이며 이틀 연속 매수 우위를 나타냈다. 기관도 8733억원을 순매수했다. 반면 개인은 1조7763억원을 순매도하며 차익 실현에 나섰다. 

 

이경민 대신증권 연구원은 “전일 미국 증시가 강세를 기록한 가운데, AMD가 최근 호실적을 냈고, 가이던스 상향 조정 영향으로 상승세를 지속하며 국내 증시도 삼성전자, SK하이닉스 등 대형 반도체주를 중심으로 증시가 상승했다”고 분석했다.

 

이어 “중국 온라인 게임 규제에 대한 우려가 완화됐다는 점도 투자심리에 긍정적으로 작용했다”며 “원/달러 환율도 하락해 외국인 수급에 우호적인 여건이 형성됐다”고 덧붙였다.

 

아시아 증시는 일본 니케이지수를 제외하고 상승세다. 일본 시장은 전국적으로 긴급 사태 선언에 대한 가능성이 보도되며 투자 심리가 악화된 것으로 분석된다. 반면 중국은 온라인 게임규제 우려가 완화돼 상해종합·홍콩 항셍지수가 모두 올랐다.

 

뉴욕증시는 코로나19 델타 변이에 대한 우려에도 기업들의 실적이 대체로 긍정적으로 나오면서 3대 지수 모두 상승 마감했다.

 

코스피 시가총액 상위 종목 중 카카오(3.82%), 삼성전자(1.84%), 셀트리온(1.70%), 네이버(1.17%), 등은 상승했다. 반면 삼성바이오로직스(-0.66%), 삼성SDI(-0.53%) 등은 하락했다. 특히 이날 SK이노베이션은 배터리 사업부문을 분할한다는 소식에 3.75% 내려갔다.

 

업종별로는 운수창고(3.5%), 기계(2.05%), 섬유의복(2.02%), 은행(1.93%), 서비스업(1.8%), 증권(1.52%), 전기전자(1.5%), 유통업(1.49%), 금융업(1.43%), 중형주(1.4%) 등이 상승했다. 반면 의료정밀(0.14%), 통신업(0.29%) 등은 하락했다.

 

유가증권시장 거래량은 6억2075만주, 거래대금은 12조1545억원이었다.

 

코스닥 지수는 전일 대비 1.14% 오른 1047.93에 마감됐다.

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최연재 기자 stock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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