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한화건설, ‘한화 포레나 수원원천’ 내달 분양

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Monday, July 26, 2021, 11:07:34

“단지 앞 축구장 약 70배 크기의 영흥공원, 인덕원~동탄 복선전철 수혜 기대”

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ한화건설(대표 최광호)은 오는 8월 경기도 수원시 영통구 원천동 333-1번지 일원에 들어서는 ‘한화 포레나 수원원천’을 분양한다고 26일 밝혔습니다.

 

포레나 수원원천은 지하 2층~지상 20층, 2개 동, 전용 68~84㎡ 총 157가구 규모로 조성됩니다. 전용면적별로 ▲68㎡ 117가구 ▲84㎡ 40가구로 구성됩니다.

 

포레나 수원원천은 삼성로와 인접해 있으며 삼성디지털시티를 도보로 출퇴근할 수 있습니다. 삼성디지털시티는 총면적 172만여㎡에 달하는 대규모 산업단지입니다. 이 곳에는 약 56개국 3만5000여명의 글로벌 인재들이 근무하고 있습니다.

 

단지 앞에는 축구장 약 70배 크기(50만여㎡) 규모로 조성되는 영흥공원도 자리해 있습니다. 영흥공원은 대규모 수목원과 생태숲, 1.5km에 달하는 순환산책로와 체육시설 등이 갖춰지게 됩니다.

 

포레나 수원원천에서 직선 거리 약 3km 거리에는 개발 공정률 99%에 달하는 광교신도시 내 경기융합타운 등 행정·법조타운이 자리해 있습니다. 경기융합타운은 2023년 완공시 주요기관 근무자 6000여명, 유동인구 약 20만 명에 달할 것으로 전망되고 있습니다.

 

광교신도시 내에는 수원컨벤션센터, 수원고등법원·검찰청 등이 이미 들어서 있으며 경기도청 신청사(2021년 9월 준공 예정), 경기도의회, 경기도교육청 등 다양한 관공서가 입주할 예정입니다. 또한 갤러리아백화점 광교점, 롯데아울렛 광교점, 원천호수 등에 이르기까지 광교의 다양한 생활 편의시설 이용이 가능합니다.

 

단지 인근에는 홈플러스 원천점, 롯데마트 영통점 등 대형 마트가 위치해 이용이 편리하며 아주대학교 병원과 수원체육문화센터 등 다양한 생활 인프라도 마련돼 있습니다.

 

단지 주변에는 삼성로, 중부대로, 매영로, 영통로 등 지역 핵심도로들이 위치해 있습니다. 수원신갈IC·흥덕IC 등을 이용하면 경부고속도로, 용인서울고속도로의 진출입도 용이합니다. 향후 인덕원~동탄 복선전철(2026년 예정) 원천역(예정) 신설이 추진 중에 있습니다.

 

한화건설은 포레나 주거상품에만 적용된 독창적인 가치와 프리미엄을 드러내는 ‘포레나 익스테리어 디자인’이 고객들의 높은 관심을 받고 있다고 밝혔습니다. 단지를 상징하는 게이트 디자인 ‘포레나 페이스’와 포레나 컬러와 패턴 등을 활용한 외벽 디자인 ‘포레나 시그니처 스킨’ 등이 제공됩니다.

 

문주태 한화건설 소장은 “한화 포레나 수원원천은 삼성디지털시티와 영흥공원을 가까이서 누릴 수 있는 직주근접형 힐링단지”라며 “광교·영통 더블 생활권으로 다양한 생활 편의시설을 편리하게 이용할 수 있는 만큼 실수요자들의 많은 관심이 예상된다”고 말했습니다.

 

포레나 수원원천의 견본주택은 수원시 팔달구 인계동 966-1번지에 마련되며 정부의 사회적 거리두기 정책과 신종코로나바이러스감염증(코로나19) 확산 방지를 위해 사이버 개관이 예정돼 있습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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