검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Electronics 전기/전자

삼성전자 “1분기 휴대폰 판매량 8100만대·태블릿 800만대”

URL복사

Thursday, April 29, 2021, 12:04:06

1분기 실적 발표 이후 콘퍼런스콜 진행..오스틴 공장 피해 규모 4000억원
D램·낸드, 생산 증가·가격 상승폭 커져..하반기 폴더블폰 대세화·대중화 적극 나서

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자(대표이사 김기남·고동진·김현석)는 29일 1분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 “1분기 판매량은 휴대폰이 8100만대·태블릿 800만대를 기록했다”며 “평균 판매가격은 243달러(27만원)를 기록했으며 휴대폰 중 스마트폰 비중은 90% 중반”이라고 말했습니다.

 

이어 “2분기는 이번 분기 대비 휴대폰 판매량과 ASP는 감소하지만, 태블릿 판매량은 증가할 것”이라고 전망했습니다.

 

삼성전자는 올해 2분기 D램과 낸드플레시 생산 증가에 이어 가격 상승폭이 커질 것으로 예상했는데요. 삼성전자는 “올해 전체 D램 시장의 비트 그로스(비트 단위로 환산한 D램 생산 증가율·Bit Growth)는 20%를 예상한다”며 “낸드플래시의 경우 연간 시장 비트 그로스는 30% 중반이 예상된다”고 말했습니다. 

 

이어 “D램 가격은 1분기에 수익성이 개선된데 이어 가격 상승 기조가 이어질 것으로 보인다”며 “전반적인 수요 강세를 고려했을 때 가격 상승폭은 더 커질 것”이라고 전망했습니다. 낸드와 관련해서는 “2분기부터 당사가 강점을 지닌 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 제품 위주로 수요가 공급을 상회하는 모습을 보일 것”이라고 예상했습니다.

 

지난 2월 가동 중단했던 오스틴 공장은 현재 완전히 정상화됐는데요. 한승훈 삼성전자 전무는 “지난 2월6일 미국 텍사스주의 폭설과 한파로 단전·단수로 공장 가동이 중단됐다”며 “단계적으로 복구에 주력해서 현재 완전 정상화됐다”고 말했습니다. 

 

이어 “공장 가동 중단으로 웨이퍼 생산 차질이 발생했고, 피해 규모는 7만1000장 정도, 4000억원에 해당하는 규모”라며 “당사는 피해를 줄이기 위해 사고 복구에 대응하며 고객사와 대응했고, 전 직원이 합심해 라인 정상화를 달성했으며, 향후 재발 방지를 위해 주정부와 긴밀히 협의 중”이라고 덧붙였습니다. 

 

삼성전자는 올해 하반기 극자외선(EUV) 장비를 활용한 14나노 공정에서 D램 생산 계획을 밝혔습니다. 삼성전자는 “현재 D램을 15나노 공정으로 생산하고 있는데, 하반기에 EUV 장비를 활용한 14나노 양산이 계획돼있다”며 “이미 주요 칩셋업체들로부터 성능과 안정성을 인정을 받았다”고 말했습니다. 

이어 “업계를 선도하는 EUV 기술력을 보유하고 있다”며 “D램 기술 미세화, 기술패러다임 변화에 있어서 EUV 기술이 중요해서 우리의 경쟁력의 밑거름이 될 것”이라고 덧붙였습니다. 

 

삼성전자는 올해 하반기 폴더블폰 출시를 계획하고 있는데요. 삼성전자는 “올해는 갤럭시Z 폴드·Z 플립 등 폴더블폰 대중화, 대세화 적극 추진한다”며 “차기 폴더블폰은 소비자 의견을 반영해 전작 대비 기능과 폼팩터를 개선하고, 글로벌 파트너와 협업해 폴더블 생태계 더욱 강화하는 등 제품 완성도와 고객 경험을 향상할 수 있도록 철저히 준비하고 있다”고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


배너


배너