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홍남기 “LH사태 재발방지·투기근절안 이달 말 발표...공급대책 멈춤없어”

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Wednesday, March 17, 2021, 10:03:31

17일 부동산시장 관계장관회의 열어

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ홍남기 부총리 겸 기획재정부 장관이 투기 근절과 재발 방지, LH 환골탈태 대책안을 이달 말까지 목표하고 있다고 밝혔습니다.

 

홍 부총리는 17일 정부서울청사에서 부동산시장 관계장관회의를 열고 “정부는 LH를 포함한 공직사회 부동산 투기를 근절할 근본 대책과 제도개선을 구축하고 공직·민간을 망라해 부동산시장의 불법·불공정행위 등 부동산 적폐를 개혁하는 데 천착할 것”이라고 말했습니다.

 

아울러 홍 부총리는 “이달 말까지 투기 근절 및 재발 방지와 LH 환골탈태에 관한 대책안을 확정·발표하는 것을 목표로 검토하는 작업을 진행하고 있다”고 했습니다. 또 LH 개혁에 관해 “가장 강력하면서도 가장 합리적인 혁신 방안을 검토하고 있다”고 덧붙였습니다.

 

또한 “LH 사태 관련 현재 배우자 및 직계 존비속 등에 대한 합동특별수사본부의 수사가 한창 진행 중”이라며 “투기 혐의가 확인될 경우 가장 엄하게 처벌하고, 투기자의 투기이익은 반드시 회수되도록 최대한 필요한 조처를 하겠다”고 말했습니다.

 

홍 부총리는 “정부는 인력 1만여명, 자산 185조원 규모의 거대 공기업인 LH의 역할과 기능, 조직과 인력, 사업구조와 추진 등은 물론 청렴 강화 및 윤리 경영에 이르기까지 전 부문을 면밀히 점검하겠다”고 강조했습니다.

 

아울러 부동산 투기 근절 및 재발방지 방안의 경우 “투기의 예방·적발·처벌·환수 전 과정에 걸친 대책을 마련 중”이라며 “시장을 교란하는 4대 불법·불공정 행위를 포함한 그동안의 부동산 적폐를 완전히 척결할 대책을 적극적으로 강구하겠다”고 말했습니다.

 

한편 최근 3기 신도시 지정 취소 요구 등으로 정부의 주택 공급 대책에 대한 차질 우려에 대해 홍 부총리는 “주택 공급 대책을 포함한 부동산 정책은 결코 흔들림, 멈춤, 공백 없이 일관성 있게 계획대로 추진해 나갈 것임을 다시 한번 강조한다”며 신도시 지정 취소 등은 일정에 없다고 전했습니다.

 

또한 홍 부총리는 “당장 3기 신도시건설로 24만3000호 공급 중이고 이중 하반기에 3만호, 내년 3만2000호 등 사전청약을 실시해 조기 자가주택 소유기회를 확정하려 한다”며 “대책 없이 이들 계획들이 지연 또는 취소될 경우 지금 무주택자·서민·청년은 물론 미래 우리 아이 세대에 이르기까지 막대한 상실감과 고통을 짊어지게 하는 것”이라고 했습니다.

 

정부는 이달 말 2·4 대책 관련 170여곳의 입지 중 후보지를 순차 공개할 예정입니다. 오는 4월에는 15만가구 규모의 2차 신규택지를 발표합니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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