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집중 질타에 고개 숙인 최정우 포스코 회장...“겸허히 받아들이겠다”

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Monday, February 22, 2021, 11:02:52

최정우 회장 “포스코 산재원인은 노후시설·관리 감독 부족”
청문회 초반 김웅·윤미향·박덕흠·임이자 의원 등 집중 질의 이어져

 

 

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ최정우 포스코 회장이 22일 국회 산업재해 청문회에 참석해 포스코 내 연이은 산재사고 발생과 관련해 고개를 숙였습니다.

 

최 회장은 지난 17일 ‘허리통증’을 이유로 국회 환경노동위원회(이하 환노위) 청문회 불출석 사유서 냈으나 환노위는 해당 사유를 정당한 사유로 인정하지 않아 이번 청문회에 참석하게 됐습니다.

 

김웅 국민의힘 의원은 이날 청문회에서 “기본적인 안전보건규칙이 포스코 사업장에서 잘 지켜지지 않는 이유가 무엇인가”라는 질의에 대해 최 회장은 “연이은 사고로 인해 국민 여러분께 심려를 끼쳐드린데 대해 대단히 죄송하다. 유족 여러분께 진심으로 사죄드린다”고 말했습니다.

 

김웅 의원실에 따르면 포스코는 최 회장이 취임한 2018년 이후 총 19명이 산재로 사망했습니다. 하지만 포스코는 19명 중 8명만 산재 사망자로 인정하고 있습니다.

 

김 의원은 최 회장에게 “19명 중 14명이 하청근로자들”이라며 “최 회장 취임 전 2017년 한 해엔 사망자가 1명이 없었는데 이유를 설명해달라”는 질의에 최 회장은 “당시 전 관리자들이 안전관리에 철저히 임한 것으로 알고 있다”고 답했습니다.

 

이에 김 의원은 “여전히 포스코의 산재사고 줄어들지 않고, 무엇보다 기본적인 안전보건 규칙위반들이 많았는데 문제가 크다”고 꼬집었습니다.

 

윤미향 더불어민주당 의원은 포스코의 연이은 사고 발생 원인에 대해 “(최 회장이) 원인을 정확히 알아야 사과와 대책이 유효할 텐데 지금 보면 원인을 제대로 알고 있었냐는 의문이 든다”고 지적했습니다.

 

이에 최 회장은 “포스코 내 제철소가 50년 넘은 노후 시설이 많아 노후 시설에 의한 요인과 관리감독자의 관리 감독 노력이 부족했다고 본다”고 말했습니다.

 

아울러 최 회장은 유독 하청노동자 사망자 비중이 높은 이유에 대해서도 “관리가 그 부분까지 미치지 못한 것 같다”고 답변했습니다.

 

또한 윤 의원은 “산업재해가 계속 발생하는데 돈을 어디에 썼는지 체감할 수 없다”며 “국민 분노를 보면 최 회장의 지난 3년은 실패한 3년이라 평가할 거 같은데 어떻게 생각하냐”는 지적에 최 회장은 “여러 가지를 겸허히 받아들이겠다”고 말했습니다.

 

이외에도 박덕흠, 임이자 의원의 연이은 질타에 최 회장은 “(대책을) 검토해 최대한 반영토록 노력하겠다”라는 원론적인 답변을 내놓았습니다.

 

이날 청문회에는 최 회장을 비롯해 포스코건설 한성희, 현대중공업 한영석, LG디스플레이 정호영, GS건설 우무현, 현대건설 이원우, CJ대한통운 신영수, 롯데글로벌로지스 박찬복, 쿠팡풀필먼트서비스 노트먼 조셉 네이든 대표이사 등 9개 기업 CEO들이 참석했습니다.

 

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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