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[코스피 마감] 美·中 유동성 공급 기대에 이틀째 강세…3100선 '바짝'

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Tuesday, February 02, 2021, 16:02:46

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ 코스피가 이틀 연속 상승하며 3100선 회복을 눈 앞에 뒀다. 미국과 중국의 유동성 공급 기대감이 커진데다 아마존, 구글 등 글로벌 빅테크 기업들의 호실적 기대가 더해지며 투자심리를 살렸다.

 

2일 코스피 지수는 전 거래일보다 40.28포인트(1.32%) 상승한 3096.81에 장을 마쳤다. 전일 미 증시 강세에 힘입어 상승 출발한 지수는 이후 2.7% 급등하며 310선을 넘어서기도 했지만 연기금 등이 차익 실현 매물을 내놓으면서 오름폭을 줄였다.

 

서상영 키움증권 연구원은 "미국 바이든 대통령과 공화당 의원들 간 추가 부양책 관련 협상 후, 공화당 의원들이 생산적이었다고 발표하면서 증시가 본격적으로 상승폭을 확대했다"며 "중국 인민은행이 800억위안 규모의 유동성을 공급한 점도 긍정적 요인으로 작용했다"고 전했다.

 

이어 "시보 금리가 급락하는 등 긴축 우려가 완화돼 이러한 결과로 외국인 수급이 순매수로 전환하는 모습을 보였다"고 분석했다.

 

투자주체별로는 개인과 기관이 각각 1892억원, 112억원 가량을 순매도했다. 반면 외국인이 홀로 1957억원 가량을 순매수했다.

 

업종별로는 의약품의 0.83%의 하락을 제외하곤 일제히 상승했다. 의료정밀이 2.51%, 철강·금속이 2.23%, 서비스업이 2.16% 상승했고 섬유·의복이 2.06%, 전기가스업이 1.97%, 화학이 1.94% 상승했다. 전기·전자는 1.82%, 종이·목재가 1.79%, 보험이 1.74%, 음식료품이 1.46%, 제조업이 1.32% 상승했다.

 

시가총액 상위 10곳은 상승세가 뚜렷했다. 셀트리온의 4.18%하락을 제외하곤 일제히 상승했다. 삼성전자가 1.68%, 삼성전자우가 1.64%, 삼성바이오로직스가 1.60% 상승했다. 특히 반도체 대장주인 SK하이닉스 또한 4.00%의 큰 폭 상승하며 반도체종목을 필두로 강세장을 연출했다. LG화학이 1.58% 상승했고 삼성SDI는 0.94%, 현대차는 0.84% 상승했고 카카오는 0.91% 상승했다. 네이버는 4.17% 급등하며 사상 최고가를 경신했다.

 

개별종목 가운데는 셋방우가 28.1% 급등했고 코오롱인더가 17.0%, 코오롱인더우가 12.9% 급등했다. 그밖에 한화투자증권이 12.0% 상승했고 한화투자증권우 역시 9.1% 동반상승세를 연출했다.

 

이날 코스닥 지수 또한 전날 대비 6.89%포인트(0.72%) 오른 963.81을 기록하며 장을 마감했다. 시총 상위주가 대부분 하락한 가운데 '한국판 게임스톱'으로 거론되며 전일 급등했던 셀트리온 3형제와 에이치엘비는 하락세로 돌아섰다.

 

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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