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부산대 이정우 교수팀, 고효율 전지 촉매 개발 성공

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Monday, January 06, 2025, 15:01:22

차세대 에너지 혁신 기대, 수소 촉매 개발

 

인더뉴스 제해영 기자ㅣ부산대학교는 재료공학부 이정우 교수 연구팀이 수소 에너지 활용을 위한 고효율 전지 촉매를 개발했다고 6일 밝혔습니다. 이번 성과는 국제학술지 'EcoMat' 2024년 12월호에 표지 논문으로 게재됐습니다.

 

연구팀은 백금-니켈 나노 입자와 질소 도핑된 그래핀을 결합한 새로운 촉매를 개발했습니다. 이 촉매는 기존 백금 기반 촉매보다 최대 3배 높은 효율을 보이며, 10시간 이상 성능을 유지하는 특징을 가졌습니다. 이를 통해 수소 에너지의 생산 및 활용에서 중요한 혁신이 기대됩니다.

 

백금은 높은 성능을 보이지만 가격이 비싸고 매장량이 적어 상용화에 어려움이 있었습니다. 이에 연구팀은 니켈을 결합해 백금 사용량을 줄이면서 성능과 내구성을 동시에 높였습니다. 또한 그래핀을 사용해 촉매의 안정성을 향상시켰습니다.

 

 

연구진은 마이크로파를 이용한 고속 합성 공정을 통해 백금-니켈 나노합금 입자를 질소 도핑된 그래핀에 담지하는 방식으로 격자 수축을 조절해 최적의 촉매 특성을 확보했습니다. 합성된 촉매는 산소 환원 반응에서 기존 촉매 대비 3배 높은 비면적 활성도와 질량 활성도를 보였으며, 수소 생산 반응에서는 2배 높은 성능을 기록했습니다.

 

특히, 아연-공기 2차 전지 적용 결과, 기존 상용 촉매 대비 약 2배 높은 전력 밀도를 기록하며 10시간 이상 안정적으로 충방전 성능을 유지했습니다. 이러한 결과는 수소 자동차, 발전 시스템 등 다양한 분야에 활용될 가능성을 제시하고 있습니다.

 

이정우 교수는 “빠르고 간단한 합성 공정을 통해 높은 성능과 내구성을 가진 촉매를 개발했다”며 “백금 사용량을 줄이면서도 성능을 개선해 향후 에너지 기술 발전에 크게 기여할 수 있을 것”이라고 밝혔습니다.

 

이번 연구는 부산대 재료공학부 조승근 박사과정생과 박길령 석사 졸업생이 제1저자로 참여했으며, 안동대 이덕현 교수팀과 한국에너지기술연구원 김선이 박사팀과의 공동 연구로 진행됐습니다. 연구는 한국에너지기술평가원과 산업통상자원부, 과학기술정보통신부의 지원을 받았습니다.

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제해영 기자 helloje@hanmail.net

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SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




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