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현대차·기아, 카이스트와 차세대 자율주행 센서 개발 추진

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Wednesday, February 21, 2024, 10:02:32

‘현대차그룹-KAIST 온칩 라이다 공동연구실’ 설립 맞손

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ현대자동차[005380]·기아[000270]가 KAIST(카이스트)와 손잡고 차세대 자율주행 센서 개발을 추진합니다.

 

21일 현대차·기아에 따르면, KAIST와 함께 고도화된 자율주행차에 쓰일 라이다 센서를 개발하고자 '현대차그룹-KAIST 온칩 라이다(On-Chip LiDAR) 공동연구실(이하 공동연구실)'을 대전 KAIST 본원에 설립합니다.

 

공동연구실은 개발경쟁이 치열해지고 있는 자율주행 시장에서 필수적인 고성능·소형 온칩 센서 제작 기술과 새로운 방식의 신호 검출 기술을 개발하는 것을 목표로 하고 있습니다.

 

온칩 센서는 반도체 기술을 이용해 다양한 기능을 추가한 것이며, 해당 기술을 활용할 시 라이다를 기존보다 소형화할 수 있고, 반도체 공정을 이용한 대량생산으로 가격 경쟁력도 확보할 수 있다고 현대차·기아 측은 설명했습니다.

 

현재 자율주행 센서는 빛을 방출하고 돌아오는 시간을 측정해 사물과의 거리를 측정했지만, 차세대 신호검출 기술인 '주파수 변조 연속파(FMCW)'를 활용한 방식은 시간에 따라 주파수가 변화하는 빛을 방출하고 돌아오는 빛의 주파수 차이를 측정해 거리를 검출합니다.

 

특히, 기존 대비 신호의 잡음이 적고 사물과의 상대속도도 산출할 수 있으며 태양광 등 외부 광원의 간섭을 배제할 수 있어 악천후 환경에도 상대적으로 유리하다는 특징이 있습니다.

 

공동연구실은 현대차·기아 선행기술원 연구팀과 KAIST 김상현, 김상식, 정완영, 함자 쿠르트 교수 등 전기 및 전자공학부 연구팀 등 약 30여 명 규모로 구성될 예정이며, 오는 2028년까지 4년간 운영됩니다.

 

KAIST는 ▲실리콘 포토닉스(광반도체) 기반 소형 온칩 라이다용 소자개발 ▲라이다 구동을 위한 고속, 고출력 구동 집적회로(IC) 제작 ▲라이다 시스템 최적화 설계 및 검증 등 연구팀별로 특화된 전문 분야에서 세부 연구를 맡게 됩니다.

 

현대차·기아는 산학협력 전문기관인 현대엔지비와 함께 공동연구실의 운영을 총괄합니다. 기술 동향 파악과 연구 방향 제시, 핵심 아이디어 도출과 연구 역량 강화를 위한 기술 및 전문가 추천 등도 지원할 예정입니다.

 

현대차·기아 관계자는 "자율주행 기술을 선도하고 있는 현대차·기아, 그리고 글로벌 최고 수준의 기술을 보유한 KAIST의 협력을 통해 완전자율주행 시대를 앞당길 수 있을 것으로 기대한다"며 "공동연구실이 가시적인 성과를 낼 수 있도록 최선을 다해 지원할 예정"이라고 말했습니다.

 

KAIST 김상현 공동연구실 책임교수는 "자동차의 눈이 되는 라이다 센서는 향후 자율주행차 기술개발을 위한 핵심기술이자 완성차 업체에서도 기술 내재화가 필수적으로 요구되는 기술"이라며 "기술이 매우 중요한 시점에 공동연구실이 설립되는 만큼 라이다 관련 기술을 선도하는 기술 기반을 다질 수 있을 것"이라고 밝혔습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




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