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[인사] DGB금융그룹

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Thursday, January 26, 2023, 16:01:56

 

인더뉴스 문승현 기자ㅣ<DGB금융지주>
◇1급 승격
▲미래전략부 부장대우 마필재

 

◇2급 승격
▲HR기업문화부 부장 이창영

 

◇3급 승격
▲경영지원실 부실장 장은진 ▲경영지원실 부실장 채수경 ▲경영지원실겸이사회사무국 부실장겸부국장 최종훈 ▲미래전략부 부부장 홍석수

 

<DGB대구은행>
◇1급 승격
▲여신기획부 부장 권영섭 ▲서울영업부 부장 김용덕 ▲반야월지점 센터장 김형구 ▲대구1본부 부장 신동준 ▲죽전지점 센터장 안형준 ▲내당동지점 지점장 오채영 ▲검사부 부장 윤재웅 ▲황금네거리지점 지점장 이형수 ▲울산영업부 부장 정기대 ▲동구청지점 지점장 조인국

 

◇2급 승격
▲비서실 실장 김삼희 ▲성서3단지영업부 부장 김숙희 ▲상해지점 지점장 김익기 ▲신천4동지점 지점장 김정동 ▲인천금융센터 센터장 김종덕 ▲대덕지점 지점장 김태환 ▲글로벌사업부 조사역겸부장대우 김판승 ▲외환사업부 부장 남경헌 ▲여신심사부 부장 류희장 ▲양산지점 지점장 박명환 ▲서울영업부 기업지점장 박세훈 ▲성서3단지영업부 기업지점장 박재훈 ▲여신심사부 수석심사역겸부장대우 박창수 ▲창원영업부 부장 은종욱 ▲DGB혁신금융컨설팅센터 센터장 이우혁 ▲포항영업부 기업지점장 전찬호 ▲총무부 부장 조경현 ▲리테일마케팅부 부장 태원택 ▲경북본부 부장 현영수 ▲대신동지점 센터장 홍종규

 

◇3급 승격
▲광장지점 부지점장겸PrivateBanker 권미정 ▲대신동지점 부지점장 권세훈 ▲이현공단영업부 부지점장겸PrivateBanker 김건화 ▲글로벌사업부 부부장 김봉구 ▲인사부 조사역 김성익 ▲본점영업부 부지점장겸PrivateBanker 김수경 ▲북비산지점 부지점장 김은주 ▲인사부 부부장 김재현 ▲복현지점 부지점장 김정애 ▲마케팅기획부 부부장 김철영 ▲카드사업부 부부장 김희철 ▲파동지점 부지점장 류성업 ▲칠곡지점 부지점장겸PrivateBanker 박경화 ▲여신기획부 부부장 박동복 ▲영주지점 부지점장 박선희 ▲달성공단영업부 부지점장 방진욱 ▲죽전지점 금융지점장(PrivateBanker) 서창호 ▲WM사업부 부부장 성민정 ▲여신심사부 심사역 신하진 ▲북구청지점 부지점장 신해정 ▲검사부 선임검사역 우제복 ▲ICT기획부 부부장 이동규 ▲여신감리부 기업분석역 이영재 ▲서울영업부 부지점장 이정화 ▲비서실 부실장 이희언 ▲성서3단지영업부 부지점장 최동영 ▲울산영업부 부지점장 최우택 ▲투자금융부 부부장 하준우

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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