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대우건설, 광복절 맞아 독립유공자 후손 주거환경 개선 펼쳐

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Friday, August 12, 2022, 11:08:00

횡성 故 강승문 선생 후손 집 찾아 주거환경 개선활동
대우건설 대학생 홍보대사 10명, 진입로 개선 등 진행

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ대우건설[047040]은 광복절을 맞아 지난 9일 대우건설 대학생 홍보대사, 한국 해비타트와 함께 독립유공자 후손 주거환경 개선 활동을 진행했다고 12일 밝혔습니다.

 

독립유공자 후손 주거환경 개선 활동은 한국 해비타트가 주관하며 열악한 주거환경에 있는 독립유공자 후손들의 노후주택을 개보수하는 캠페인입니다. 대우건설은 지난해부터 활동에 참여해왔습니다. 

 

이번 주거환경 개선 활동은 강원도 횡성군 우천면에 위치한 故 강승문 선생 후손의 집에서 진행됐습니다.

 

故 강승문 선생은 지난 1919년 4월 1일 횡성서 천도교인들이 주축이 돼 일어난 대규모의 독립만세운동에 참여했다가 이날 밤 시위 도중 헌병들의 발포로 순국했으며 정부에서는 고인의 공훈을 기려 지난 1977년 대통령표창을 추서했습니다. 

 

봉사활동 참가자들은 진입로 개선 및 주변환경 정리, 가구조립 등을 진행했습니다. 특히, 봉사활동 필요 예산은 대우건설 임직원들이 매달 급여에서 1000원 미만의 동전을 모아 마련한 ‘임직원 동전모아 사랑실천하기’ 기금으로 사용됐습니다. 

 

봉사활동에 나선 대우건설 홍보대사 조정현(인하대 1학년) 씨는 "작고 부족한 손길이었음에도 독립유공자 후손 분께서 활짝 웃으며 고맙다고 이야기해주신 것이 가장 기억에 남는다"며 "광복절을 앞두고 더 많이 배우고 감사한 하루였던 것 같다"고 밝혔습니다.

 

대우건설 관계자는 "8월 15일 광복절을 맞아 대우건설 대학생 홍보대사들의 봉사활동이 더욱 뜻깊었다"며 "나라를 지켜낸 독립운동가의 헌신과 정신을 기념할 수 있는 활동을 지속적으로 추진하여 사회에 기여하는 기업이 될 수 있도록 최선을 다 할 것"이라고 말했습니다.

 

대우건설은 지난 2001년부터 ‘희망의 집 고치기’ 캠페인을 통해 주택 노후로 어려움을 겪는 가정의 시설 보수 작업을 진행해왔으며, 2018년부터는 한국 해비타트와 협업해 규모를 확대해 왔습니다. 

 

아울러, 최근 순직한 공군 조종사 유자녀의 학업을 지원하는 하늘사랑 장학재단에 기부하고 헌혈캠페인과 나이지리아 실명구호 활동 지원을 실시하는 등 지역사회 및 국가에 헌신해 온 유공자들과 함께 상생할 수 있는 각종 사회공헌 활동을 진행하고 있습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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