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HDC현산, ‘광주 화정 아이파크’ 계약고객 주거지원 위해 2630억 투입

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Thursday, August 11, 2022, 14:08:43

대책안 마련..주거지원비 1000억·중도금 대위변제금 1630억
준공까지 61개월 간 전세자금 등으로 주거지원비 활용 가능

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣHDC현대산업개발[294870]이 지난 1월 외벽 붕괴사고가 발생한 '광주 화정 아이파크' 계약 고객들의 주거 지원을 위해 2630억원 규모의 종합대책안을 마련했다고 11일 밝혔습니다.

 

HDC현대산업개발에 따르면, 대책안은 계약고객들이 화정 아이파크 리빌딩 후 입주할 때까지 광주시 서구 인근에서 안정적인 거주를 할 수 있도록 하고자 총 2630억원 규모로 편성했습니다. 지원금액은 전세자금 확보 등을 위한 주거지원비 1000억원과 중도금 대위변제 금액인 1630억원으로 구성됩니다.

 

주거지원비의 경우 계약 고객들이 남은 61개월 간 전세자금 등으로 활용할 수 있는 무이자 대출금액으로, 입주 시까지 지원금에 대한 금융비용은 HDC현대산업개발에서 모두 부담합니다.계약 고객이 주거지원비 대출을 받지 않을 시 해당 지원금에 대해 입주 시까지 연리 7%를 적용한 금액을 분양가에서 할인받게 됩니다.

 

중도금 대위변제는 계약 고객들의 DSR 회복을 위해 마련됐으며, 총 1630억 원을 투입해 4회차까지 실행된 계약 고객들의 중도금 대출액을 대위변제해줄 계획입니다. 지원책을 통해 계약고객들은 화정 아이파크 계약으로 인해 발생했던 DSR 규제에서 벗어나 추가 대출이 가능해지는 등 재무적 여력을 확보할 수 있게 될 것이라는 HDC현대산업개발 측의 설명입니다.

 

화정 아이파크 35평형 기준으로 예를 들 경우 주거지원 종합대책으로 세대당 약 3억3000만원의 금융지원금이 마련되게 됩니다. 계약고객은 4회차 중도금까지 실행돼 발생한 2억2000만원의 대출로 높아진 DSR 규제를 해소하게 되며, 무이자로 지원되는 주거지원비 1억1000만원을 활용해 리빌딩 기간 동안 광주 지역에서 전세 등의 형태로 거주할 수 있을 것으로 보고 있습니다.

 

HDC현대산업개발은 주거지원대책안과 관련해 고객의 궁금증과 불편을 최소화할 수 있도록 오는 12일부터 계약고객을 직접 찾아가 내용을 안내할 계획이다. 또, 유관기관과의 협업을 바탕으로 관련 시스템을 구축해 오는 9월 관련 서류를 접수하고 10월부터 주거지원금 집행 및 중도금 대출 대위변제를 실행할 예정입니다.

 

아울러, 계약 해지를 원하는 고객은 오는 10월 중 해지가 가능하도록 절차를 마련해 나갈 계획입니다. 해지를 원하는 계약고객에게는 분양가의 10%에 해당하는 위약금 및 기납입한 금액에 대한 이자 비용이 지급됩니다. 

 

HDC현대산업개발 관계자는 "화정 아이파크의 사고수습, 전면 철거 및 재시공 발표 후 일련의 후속대책인 주거지원 종합대책안이 이제야 마련돼 죄송스럽게 생각한다"며 "화정 아이파크의 리빌딩에 회사의 온 기술력과 역량을 집중해 신뢰의 랜드마크로 거듭나도록 최선을 다하겠다"고 말했습니다.

 

광주 화정 아이파크는 1, 2단지 총 8개 동 아파트 705세대 및 오피스텔 142실 등 총 847세대 규모로 조성됩니다. 지난 2019년 6월 분양 후, 2022년 11월 입주 예정이었으나 전체 동 철거 및 리빌딩 기간이 추가돼 오는 2027년 12월 입주를 목표로 하고 있습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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