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BTS, 아시아 가수 최초 AMA ‘아티스트 오브 이어’ 수상

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Monday, November 22, 2021, 13:11:39

아메리칸 뮤직 어워드 시상식
22일 미국 LA 마이크로소프트시어터에서 열려
내년 그래미 어워드 청신호

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ그룹 방탄소년단(BTS)이 미국 3대 음악 시상식 중 하나로 꼽히는 '아메리칸 뮤직 어워즈'(American Music Awards)에서 대상 격인 '아티스트 오브 더 이어'(Artist of the Year)를 수상했습니다.

 

하이브[ 352820]소속인 BTS는 22일 (이하 한국시간) 미국 LA 마이크로소프트시어터에서 열린 AMA 시상식에서 3년 연속으로 '페이보릿 팝 듀오 오어 그룹'(Favorite Pop Duo or Group) 부문상을 비롯해 1974년 상이 제정된 이후 아시아 가수 최초로 ‘아티스트 오브 더 이어’의 트로피도 품에 안았습니다.

 

후보로 경합한 상대는 아리아나 그란데, 드레이크, 올리비아 로드리고, 테일러 스위프트, 더 위켄드 등 쟁쟁한 팝스타들이었습니다.

 

BTS의 리더인 RM은 "음악으로 모두에게 어렵지만 긍정적인 에너지를 주고 싶었다"며 "상의 의미를 당연시하지 않겠다"고 수상 소감을 전했습니다. AMA는 시상식 수상자를 100% 팬투표로 정했다.

 

BTS는 지난 2015년 '화양연화 파트.2'(171위)로 앨범차트인 빌보드 200에 처음 이름을 올렸습니다. 2017년에는 '러브 유어셀프 승 허'(7위)로 10위권에 진입한 뒤 '러브 유어셀프 전 티어'(LOVE YOURSELF 轉 Tear)로 국내 가수 중 최초로 빌보드 200 1위에 올랐습니다.

 

같은 해 '러브 유어셀프 결 앤서'(LOVE YOURSELF 結 Answer)와 2019년 '맵 오브 더 솔: 페르소나'(MAP OF THE SOUL : PERSONA), 지난해 '맵 오브 더 솔: 7'(MAP OF THE SOUL : 7)과 '비'(BE)까지 앨범 다섯 개를 잇달아 앨범차트 정상에 올려놨습니다.

 

빌보드의 메인 싱글 차트인 핫 100에서도 지난해 글로벌 히트곡 '다이너마이트'(Dynamite)로 3주 1위에 오른 이후 같은 해 '새비지 러브'(Savage Love)와 '라이프 고스 온'(Life Goes On)으로 1위를 차지했습니다.

 

올해 들어서는 '버터'(Butter)로 10주 연속 1위라는 대기록을 세웠으며 '퍼미션 투 댄스'(Permission to Dance)와 밴드 콜드플레이와 협업한 '마이 유니버스'(My Universe)도 1위에 올려 전세계적인 인기를 입증했습니다. ‘버터’를 포함해 빌보드 역사상 10주 이상 핫 100 차트에서 1위를 차지한 곡은 40곡 정도 밖에 되지 않습니다.

 

BTS가 AMA에서 대상격인 ‘아티스트 오브 더 이어’를 수상함에 미국 3대 음악상 가운데 가장 권위를 인정받는 그래미 어워드의 제 64회 시상식에서 수상 가능성이 한층 커졌습니다.

 

BTS는 지난 3월 열린 63회 그래미 어워즈에서 한국 대중가수로는 처음으로 팝 장르 시상 부문 중 하나인 '베스트 팝 듀오 및 그룹 퍼포먼스' 후보에 올랐습니다. 하지만 레이디 가가와 아리아나 그란데에게 밀려 수상을 하지 못했습니다.

 

BTS, first Asian singer to win AMA 'Artist of Year'

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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