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Personnel 인사·부고

[인사] 국토교통부 외

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Friday, August 20, 2021, 09:08:14

 

<국토교통부>

 

◇ 국장급 전보

▲ 대도시권광역교통위원회 광역교통정책국장 구헌상 ▲ 부산지방국토관리청장 손우준 ▲ 종합교통정책관 안석환

 

◇ 국장급 승진

▲ 원주지방국토관리청장 박일하

 

 

<산업통산자원부>

 

◇ 과장급 임용

▲ 원전지역협력과장 정의용

 

 

<국무조정실·국무총리비서실>

 

◇ 국장급 승진

▲ 재정금융정책관 임형철

 

 

<강원 춘천시>

 

▲ 시민소통담당관 장복순 ▲ 강남동장 직무대리 경창현

 

 

<부산시교육청>

 

유·초등

◇ 교(원)장 승진

▲ 동궁초 정호윤 ▲ 동주초 김정수 ▲ 서천초 손희탁 ▲ 송정초 김성광 ▲ 아미초 남미숙 ▲ 양천초 왕순복 ▲ 용산초 고경순 ▲ 운봉초 배효심 ▲ 일광초 박영숙 ▲ 현곡초 이병우 ▲ 화랑초 임희란 ▲ 효림초 김경미 ▲ 부산한솔학교 신계자 ▲ 남천유 안부희

 

◇ 교장 공모

 

◇ 교감 승진

▲ 가야초 김경숙 ▲ 구평초 송윤경 ▲ 달산초 예현숙 ▲ 대신초 강도윤 ▲ 명륜초 김광진 ▲ 명진초 민미남 ▲ 몰운대초 이승민 ▲ 방곡초 이순자 ▲ 서천초 최지영 ▲ 신명초 배은정 ▲ 여고초 전선심 ▲ 연신초 고광숙 ▲ 예원초 전현주 ▲ 와석초 송영근 ▲ 정관초 조영옥 ▲ 정원초 백난영 ▲ 하남초 박은희 ▲ 부산배화학교 김경애

 

◇ 교육전문직원 직위 승진

▲ 어린이창의교육관 관장 류옥자 ▲ 미래교육원 에듀테크지원부장 변유경 ▲ 교육정책연구소 정책연구팀장 안재홍

 

중등

◇ 교장 승진

▲ 개성고 장강석 ▲ 부경고 조윤오 ▲ 부산남일고 조태원 ▲ 사하중 문영란 ▲ 태종대중 손은정 ▲ 개림중 김영길 ▲ 동항중 조정선 ▲ 분포중 정금희 ▲ 오륙도중 김귀순 ▲ 용호중 장옥란 ▲ 낙동중 최계숙 ▲ 송정중 정문섭 ▲ 양덕여중 김희훈 ▲ 주감중 박정혜 ▲ 유락여중 신대식 ▲ 토현중 김지향 ▲ 반안중 유재춘 ▲ 신정중 정명숙

 

◇ 공모 교장

▲ 부산자동차고 신상호 ▲ 대천리중 조명래 ▲ 덕포여중 안명희

 

◇ 교감 승진

▲ 기장고 이정우 ▲ 부산고 황정호 ▲ 부산일과고 임재항 ▲ 부산중앙고 김명식 ▲ 금정여고 곽강연 ▲ 주례여고 이종명 ▲ 동래원예고 하현선 ▲ 다송중 박근호 ▲ 사하중 이진곤 ▲ 초장중 김정표 ▲ 대천중 김해원 ▲ 동평여중 이정희 ▲ 동평중 강인구 ▲ 문현여중 이선예 ▲ 성동중 조현미 ▲ 덕포여중 안영이 ▲ 엄궁중 성기태 ▲ 주례여중 김성애 ▲ 거제여중 김미영 ▲ 여명중 이명식 ▲ 신도중 정현주 ▲ 양운중 허인숙 ▲ 인지중 여응모 ▲ 한바다중 김희련

 

◇ 교육전문직원 승진

▲ 교육연수원 원장 이미선 ▲ 창의융합교육원 수학문화관 분원장 김혜선 ▲ 시교육청 교육혁신과 민주시민교육담당 장학관 임소혜 ▲ 동래교육지원청 중등교육지원과장 설보경 ▲ 학생예술문화회관 운영부 팀장 김연희

 

 

 

 

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편집국 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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