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[인사]산업통상자원부 외

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Wednesday, June 23, 2021, 15:06:33


<산업통상자원부>

 

◇ 과장급 임용

▲ 중부광산안전사무소장 신정도 ▲ 국내대책과장 이고은

 

 

<삼정KPMG>

 

◇ 부대표

▲ 김이동 ▲ 서지희 ▲ 석명기 ▲ 손호승 ▲ 이관범 ▲ 이동석 ▲ 이용호 ▲ 임근구 ▲ 전철희 ▲ 한원식

 

◇ 전무

▲ 김민수 ▲ 김상훈 ▲ 김현중 ▲ 노원 ▲ 리앙카오(Cao, Liang) ▲ 서무성 ▲ 송정화 ▲ 이동근 ▲ 이상길 ▲ 이정수 ▲ 정윤호 ▲ 정창길 ▲ 정헌 ▲ 조승희 ▲ 진형석 ▲ 한기원 ▲ 현승임

 

 

<대전시교육청>

 

◇ 행정 3급 정년퇴직

▲ 행정국 안복현 ▲ 대전학생교육문화원 황선혁

 

◇ 행정 4급 정년퇴직

▲ 교육복지안전과 박덕하 ▲ 대전교육과학연구원 우재영 ▲ 한밭교육박물관 정규남 ▲ 서부 행정지원국 도기래

 

◇ 행정 4급 공로연수

▲ 혁신정책과장 김덕기 ▲ 대전교육과학연구원 총무부장 신명자 ▲ 대전교육연수원 총무부장 이장희 ▲ 대전교육정보원 행정정보부장 김진항

 

◇ 행정 4급 전보

▲ 혁신정책과장 우창영 ▲ 대전교육과학연구원 총무부장 김수인 ▲ 대전학생해양수련원장 김종하

 

◇ 행정 4급 승진

▲ 감사관 청렴감사총괄관 한진경 ▲ 혁신정책과 교육협력관 정현숙(대전시 파견) ▲ 교육복지안전과장 이상근 ▲ 시설과장 고영규 ▲ 대전교육연수원 총무부장 송기선 ▲ 대전교육정보원 행정정보부장 노애수

 

◇ 기술 4급 정년퇴직

▲ 시설과 김동욱

 

◇ 기술 4급 공로연수

▲ 시설과장 표남근 ▲ 대전학생해양수련원장 강천배

 

◇ 교육행정 5급 정년퇴직

▲ 대전학생교육문화원 정재숙 ▲ 대전동신과학고 박경진

 

◇ 교육행정 5급 공로연수

▲ 대전여자고 오영조

 

◇ 교육행정 5급 전보

▲ 공보관 신앵삼 ▲ 감사관 김호윤 ▲ 기획예산과 백기종 권영희 ▲ 혁신정책과 조정미 ▲ 교육복지안전과 정윤희 ▲ 유초등교육과 박연실 ▲ 과학직업정보과 지동선 ▲ 총무과 이은주 최영재 손태일 ▲ 행정과 윤은주 김지연 ▲ 재정과 서준호 ▲ 대전교육연수원 행정연수부장 한영환 ▲ 대전평생학습관 평생교육과장 박미순 ▲ 대전학생교육문화원 문화체육운영과장 노희창 ▲ 대전학생해양수련원 총무부장 김일선 ▲ 대전공업고 김용범 ▲ 대전복수고 윤미경 ▲ 대전송촌고 서동원 ▲ 동대전고 주정하 ▲ 서부 평생교육체육과장 송규혜

 

◇ 교육행정 5급 승진

▲ 대전구봉고 한현주 ▲ 대전둔산여자고 신순이

 

◇ 사서 5급 전보

▲ 대전학생교육문화원 문헌정보1과장 원계순 ▲ 대전학생교육문화원 문헌정보2과장 고광분

 

◇ 시설 5급 공로연수

▲ 서부 시설지원과장 오용석

 

◇ 공업 5급 정년퇴직

▲ 시설과 김종훈

 

◇ 공업 5급 전보

▲ 서부 시설지원과장 김기홍

 

◇ 공업 5급 승진

▲ 시설과 정해일

 

 

 

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편집국 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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