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전경훈 삼성전자 사장 “400만개 5G 기지국 통해 초연결 시대 앞당길 것”

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Wednesday, June 23, 2021, 09:06:43

네트워크사업부 최초 단독 글로벌 온라인 행사..차세대 핵심칩·고성능 등 공개
5G로 활성화될 프라이빗 네트워크 솔루션 공개..6G 선제적 기술 투자도 강조

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자(대표이사 김기남·고동진·김현석) 네트워크사업부가 최초로 단독 글로벌 온라인 행사 열었습니다. 

 

22일 삼성전자에 따르면 전경훈 네트워크사업부장(사장)이 직접 진행한 이날 행사는 ‘삼성 네트워크 : 통신을 재정의하다(Samsung Networks: Redefined)’라는 주제로 삼성전자 뉴스룸과 유튜브 채널 등을 통해 전세계에 생중계됐습니다.  

 

삼성전자는 지난해 미국 1위 이동통신사업자인 버라이즌에 이어 올해 일본과 유럽의 1위 사업자인 NTT도코모, 보다폰 등과 잇따라 5G 장비 공급 계약을 체결하는 등 차세대 이동통신 사업을 확장하고 있습니다.

 

전경훈 사장은 이 자리에서 “삼성전자는 4G 이동통신이 보급되기도 전인 지난 2009년에 선제적으로 5G 연구를 시작해 세계 최초 5G 상용화에 성공하는 등 전세계 5G 시장을 주도하고 있다”고 평가했습니다.

 

그러면서 “급성장하고 있는 5G 시장에서 이미 4G 사업 계약 건수보다 더 많은 사업 계약을 수주했다”며 “전세계에서 400만대 이상의 5G 기지국을 공급했다”고 설명했습니다. 

 

이어 “20년 이상의 자체 칩 설계 경험과 독보적인 소프트웨어 역량을 바탕으로 5G 시장에서 그 어느 때보다 빠르게 성장하고 있다”며 “앞으로도 선도 업체와의 파트너십과 차별화된 솔루션을 통해 모든 사물과 사람을 매끄럽게 연결하는 초연결 시대로의 진입 가속화에 앞장 설 것”이라고 말했습니다.

 

삼성전자는 이날 행사에서 ▲기지국용 차세대 핵심칩 ▲차세대 고성능 기지국 라인업 ▲원 안테나 라디오 (One Antenna Radio) 솔루션 ▲5G 가상화 기지국(vRAN) 솔루션 ▲프라이빗 네트워크(Private Network) 솔루션 등을 소개하며 혁신적인 기술로 개인의 일상과 각종 산업 현장에서 네트워크의 역할을 확대하고 재정의하겠다는 비전을 밝혔습니다.

 

◇ 2세대 5G 모뎀칩 등 기지국용 차세대 핵심칩 3종 선봬

 

이날 공개된 기지국용 차세대 핵심칩은 ▲2세대 5G 모뎀칩(5G Modem SoC) ▲3세대 밀리미터웨이브 무선통신 칩(mmWave RFIC) ▲무선통신용 디지털-아날로그 변환 통합 칩(DFE-RFIC Integrated Chip) 등 3종으로 성능과 전력 효율을 높이면서도 기지국 크기를 줄일 수 있다는 게 공통된 특장점입니다.

 

20년 이상의 노하우를 바탕으로 설계된 이들 기지국용 핵심칩 3종은 내년(2022년)에 출시되는 차세대 고성능 기지국 라인업에 탑재될 예정입니다.

 

‘2세대 5G 모뎀칩’은 기존 대비 데이터 처리 용량은 2배로 늘리면서도 쎌(Cell)당 소비전력은 절반으로 줄인 게 특징이며, 5G 통신 필수 기능인 빔포밍(Beamforming) 연산도 지원합니다.

 

‘3세대 밀리미터 웨이브 무선통신 칩’은 28GHz와 39GHz의 2개 고주파대역(mmWave) 주파수를 모두 지원하며, 안테나 크기를 약 50% 줄일 수 있는 첨단 기술을 탑재했습니다.

 

‘무선통신용 디지털-아날로그 변환 통합 칩’은 저주파와 초고주파 통신에 사용되는 디지털 신호와 아날로그 신호를 상호 변환하는 칩으로 지원 주파수 폭을 최대 2배 늘리고 기지국의 무선 신호 출력을 높이면서도 소형화할 수 있는 칩입니다.

 

 

◇ 고성능 기지국 라인업, 첨단 안테나·5G 가상화 기지국 솔루션

 

삼성전자는 ‘3세대 듀얼밴드 컴팩트 매크로(Dualband Compact Macro)’ 기지국과 ‘다중입출력 기지국(Massive MIMO Radio)’ 등 고성능 이동통신 기지국 라인업도 공개했습니다.

 

‘3세대 듀얼밴드 컴팩트 매크로 기지국’은 업계 최초로 2개의 초고주파대역을 동시에 지원하며, 현재까지 공개된 제품 중 최대인 2400MHz의 대역폭을 지원하는 것이 특징입니다.

 

전세계에서 가장 널리 확산되고 있는 중대역 5G 주파수를 지원하는 차세대 ‘다중입출력 기지국’은 400MHz 광대역폭을 지원하며, 새로운 방열 기술을 적용해 최대 통신 속도는 높이면서도 소비전력은 20% 줄였고 크기는 30% 줄여 설치도 쉽습니다.

 

원 안테나 라디오(One Antenna Radio) 솔루션도 공개됐습니다. 3.5GHz 대역을 지원하는 대용량 다중입출력 기지국과 700MHz 대역부터 2.6GHz 대역을 지원하는 수동형(Passive) 안테나를 통합한 것으로, 안테나 설치 공간을 최소화하고, 간편한 설치를 지원해 망 운영 비용을 획기적으로 줄여줍니다.

 

삼성전자는 이밖에 상용 수준의 ‘5G 가상화 기지국(vRAN)’ 솔루션을 공개하며 가상화 기지국 및 코어 분야 선두 업체임을 다시 한 번 입증했습니다.

 

이번 ‘5G 가상화 기지국’은 범용 서버에 전용 소프트웨어를 설치한 것으로 ‘다중입출력 기지국’과 연결돼 멀티 기가비트(Gigabit) 데이터 속도를 지원해 초고속 5G 상용망에도 적용할 수 있는 선택지라는 게 삼성전자의 설명입니다.

 

◇ 프라이빗 네트워크 솔루션 공개·6G 선제적 기술 투자 강조

 

삼성전자는 이날 행사에서 이동통신의 새로운 영역인 ‘프라이빗 네트워크’에 특화된 솔루션을 공개하는 동시에 6G 기술에 대한 비전도 공유했습니다. 

 

또 통신장비, 관리 및 운영 시스템, 단말기, 어플리케이션 등의 포트폴리오를 활용해 사업 규모와 산업군별로 맞춤형 ‘프라이빗 네트워크’을 제안할 수 있다는 점을 강조했습니다. 이어 수원 디지털시티에서 운영하고 있는 ‘5G 스마트 팩토리’와 국내 국가재난안전통신망(PS-LTE) 사업 등을 소개했습니다.

 

최근 삼성전자는 테라헤르츠 데이터 통신에 성공하는 등 차세대 기술에 대한 적극적인 투자하는 등 6G 기술 투자에도 선제적으로 나서고 있습니다.

 

삼성전자는 “5G를 넘어 6G 시대가 도래하면 XR(확장현실), 모바일 홀로그램, 디지털 복제 등 산업의 물리적·기술적 한계를 뛰어넘어 사용자의 손끝에서 모든 것이 이루어지는 시대가 도래할 것”이라며 “그동안의 기술 혁신을 토대로 최첨단의 기술과 솔루션을 제공하겠다”고 말했습니다. 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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