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삼성家, 용산세무서에 상속세 12조원 신고…수천억 신용대출

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Friday, April 30, 2021, 17:04:43

용산세무서에 상속세 신고·납부..5년간 6차례 분납
삼성가, 시중은행 두 곳서 4000억원 대출 받은듯

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ고(故) 이건희 삼성전자 회장의 유족이 30일 용산세무서에 상속세를 신고하고, 2조원에 달하는 상속세 1차분을 납부했습니다. 이날은 유족의 상속세 신고 기한 마지막 날입니다. 

 

앞서 지난 28일 삼성전자는 “유족들은 고 이건희 회장이 남긴 삼성생명, 삼성전자, 삼성물산 등 계열사 지분과 부동산 등 전체 유산의 절반이 넘는 12조원 이상을 상속세로 납부할 계획”이라고 발표했습니다. 

 

세무대리인 김앤장이 용산세무서에 유족을 대리해 상속세를 신고한 것으로 알려졌습니다. 홍라희 전 리움미술관장과 이재용 삼성전자 부회장 등 상속인은 이날 상속세의 6분의 1인 2조여원을 내고 앞으로 5년간 다섯 차례에 걸쳐 나머지 10조여원을 분납하게 됩니다. 

 

상속인별 계열사 지분 비율 등 신고 내용은 납세자 정보 비공개 규정에 따라 공개되지 않았습니다. 상속재원은 현금과 시중 은행을 통한 신용대출로 마련한 것으로 알려졌습니다. 은행권에서는 삼성 일가가 제1금융권 은행 두 곳에서 각각 2000억원씩, 총 4000억원을 대출받았을 것으로 보고 있습니다. 

 

금융권에 따르면 한 은행은 삼성 일가로부터 신용대출 신청을 받은 뒤 본부 차원에서 ‘여신 심사 협의체’를 통해 대출 여부를 검토한 뒤 ‘특별 승인’ 결정을 내린 것으로 전해졌습니다. 특별 승인의 경우 금리, 대출 한도 등이 일반 대출 기준과 무관하게 결정됩니다. 

 

이 회장의 유산 규모는 계열사 지분 19조원과 부동산·미술품을 포함해 약 26조원 가량이다. 구체적으로는 ▲삼성전자(4.18%) ▲삼성생명(20.76%) ▲삼성물산(2.88%) ▲삼성SDS(0.01%) 등 계열사 지분 19조원, 미술품 약 3조원, 부동산·예금성 자산 약 4조원 안팎으로 알려졌습니다. 

 

한편, 삼성물산은 이날 이건희 회장이 소유한 회사 지분을 이재용, 이부진, 이서현 3자녀가 각각 120만5720주씩 상속했다고 공시했습니다. 홍라희 여사는 180만8577주를 상속해 홍 여사가 9분의 3, 세 남매가 각각 9분의 2인 법정 상속비율을 따랐습니다. 

 

이에 따라 삼성물산 최대주주인 이재용 삼성전자 부회장의 지분(보통주 기준)은 17.48%에서 18.13%로 늘었습니다. 이부진 호텔신라 사장과 이서현 삼성복지재단 이사장의 지분율은 각각 5.60%, 6.24%로 증가했습니다. 홍 여사는 0.97%를 새롭게 취득했습니다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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