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라임 판매은행 CEO ‘중징계’...손태승 직무정지·진옥동 문책경고 통보

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Thursday, February 04, 2021, 09:02:03

‘연임’ 달려있는 제재 수위에 촉각
금감원 제재심의위원회 이달 25일 예정

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ금감원은 3일 오후 라임 펀드 판매사인 우리은행과 신한은행 부문 검사 결과를 바탕으로 한 사전 제재 통지문을 보냈는데요. 최고경영자들에게 직무정지·문책경고 등 중징계 처분이 통보됐습니다.

 

라임 사태 당시 우리은행장이었던 손태승 우리금융지주 회장은 직무 정지를, 진옥동 신한은행장은 문책 경고를 각각 통보받았습니다. 조용병 신한금융지주 회장은 경징계인 주의적 경고를 받은 것으로 알려졌습니다.

 

금융사 임원에 대한 제재 수위는 해임 권고·직무 정지·문책 경고·주의적 경고·주의 등 5단계로 분류됩니다. 이 중 문책 경고 이상은 3∼5년 금융사 취업을 제한하는 중징계입니다.

 

금감원은 불완전 판매의 책임 등을 물어 중징계 처분을 내린 것으로 보입니다. 다만 손 회장과 진 행장의 징계 수위가 다른 것은 불완전 판매 행위자의 징계 수위가 달랐기 때문이라는 것이 업계의 관측입니다.

 

우리은행의 경우 불완전 판매 행위자인 본부장이 면직을, 감독자인 손 회장은 직무 정지를 통보받았습니다. 감독자에 대한 징계는 행위자보다 한 단계 아래로 정해집니다. 때문에 신한은행은 행위자 징계 수준이 직무 정지로 정해져 감독자인 진 행장에게는 문책 경고가 통지된 겁니다.

 

우리은행은 라임 펀드의 부실을 사전에 인지하지 못했다는 입장이나 금감원은 우리은행이 부실 가능성을 인지했을 것으로 판단했다는 얘기가 나옵니다. 라임펀드의 경우 우리은행(3577억원) 가장 많이 팔았고 이어 신한금융투자(3248억원), 신한은행(2769억원) 순입니다.

 

진옥동 행장에 대한 문책 경고 제재가 제재심과 금융위원회까지 거쳐 확정되면 지난 3월 임기 2년의 연임에 성공한 진 행장은 3연임 또는 금융지주 회장 도전에 제동이 걸릴 전망입니다. 이에 따라 파생결합펀드(DLF) 사태 중징계에 불복해 행정소송을 한 손태승 회장 사례를 진 행장이 따를 가능성도 나옵니다.

 

손 회장은 지난해 1월 금감원이 DLF 불완전 판매의 책임을 물어 문책 경고를 내리자 중징계 효력정지 가처분 신청과 함께 행정소송을 제기했고 서울행정법원이 가처분 신청을 받아들인 덕분에 지난해 3월 임기 3년의 회장 연임에 성공한 바 있습니다.

 

금감원은 신한금융지주 차원의 '매트릭스 체제'를 문제 삼은 것으로 알려졌습니다. 신한은행과 신한금융투자가 복합 점포에서 라임 펀드를 판매하는 과정에 신한금융지주가 복합 점포 운영의 관리 책임이 있다고 본 것으로 풀이됩니다. 이들 은행에 대한 제재심은 이달 25일 열릴 예정입니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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