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SK하이닉스, 우시 확장팹 준공...미세공정 전환용 공간 확보

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Thursday, April 18, 2019, 14:04:00

중국 우시시에서 준공식 열어..기존 C2 확장한 C2F 가동
클린룸 확장에 따른 미세화..추가 공사는 시황에 따라 결정

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ SK하이닉스가 주력 D램공장 확장 공사를 마무리하고 가동에 들어간다.

 

SK하이닉스가 18일 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)에서 메모리 반도체 확장팹(C2F) 준공식을 열었다. ‘새로운 도약, 새로운 미래(芯的飞跃 芯的未来)’를 주제로 열린 행사에는 이석희 SK하이닉스 대표이사 등 SK하이닉스 임직원과 우시시 관계자들이 참석했다.

 

이번에 준공한 C2F는 기존 D램 생산설비인 C2를 확장한 것이다. SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 확장을 결정했다.

 

SK하이닉스는 2004년 중국 우시시와 현지 공장 설립 계약을 맺고 2006년 D램 생산 공장인 C2를 준공했다. 우시공장은 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 D램 생산의 절반을 담당하는 등 회사 성장에 기여해왔다.

 

하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 미세공정 전환에 필요한 공간이 추가 확보되지 않으면 생산량 감소 등 효율 저하가 불가피하다.

 

이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 올해 4월까지 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산 공간을 확보했다. 미세공정에 필요한 클린룸이 확장돼 생산성과 경쟁력은 유지하면서 D램 산업 내 리더십도 지속 확보가 가능할 것으로 전망된다.

 

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만 8000㎡(1만 7500평·길이 316m·폭 180m·높이51m) 규모 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 일부 클린룸 공사를 마치고 장비를 입고해 생산을 시작했다. 추가적인 클린룸 공사와 장비 입고 시기는 시황에 맞춰 결정할 예정이다.

 

강영수 SK하이닉스 우시FAB담당 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산∙운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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