검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Stock 증권

리튬코리아, 지엔원에너지 인수 참여…“미국 염호서 리튬 고속 추출”

URL복사

Monday, November 14, 2022, 14:11:09

총 70억원 투자

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ리튬코리아가 70억원을 투자해 지엔원에너지 주식 234만 7137주를 인수한다고 14일 밝혔다. 현 최대주주인 지엔씨에너지가 보유한 주식 123만 355주를 다음달 21일 인수하고, 아울러 3자 배정 유상증자에 참여해 111만 3585주를 추가 인수한다.

 

지난 2002년 설립된 지엔원에너지는 땅속의 열을 이용한 지열냉난방시스템과 도시가스에서 추출된 수소에너지를 이용해 전기를 생산하는 연료전지 사업을 영위하고 있다.

 

리튬코리아는 지엔원에너지와 ‘하얀 석유’라고 불리는 리튬을 염호에서 추출하는 사업을 추진할 예정이다. 지엔원에너지의 지열발전기술과 기술 파트너인 한국지질자원연구원(KIGAM)의 리튬직접추출 기술을 이용해 빠른 성과를 거둔다는 전략이다.

 

수산화리튬은 이차전지 배터리의 핵심인 양극재의 원료 중 사용 비중이 가장 높다. 고성능 전기차용 양극재 1톤을 제조하려면 약 0.46톤의 수산화리튬이 필요하다고 회사측은 설명했다.

 

리튬코리아는 한국지질자원연구원(KIGAM)과 손잡고 10일 이내에 염수에서 탄산리튬을 고속 추출하는 기술을 미국 염호에 적용하기로 했다. 이 기술은 염수에 알루미늄(AI) 공급원을 첨가한 뒤 Li-AI LDH(화학물)이 포함된 리튬을 황산염 배소 공정을 통해 수용성 황산리튬으로 전환하고, 상온에서 수침출 공정을 통해 직접 고농도 리튬 용액을 생산하는 방식이다.

 

리튬코리아 관계자는 “KIGAM의 기술을 활용하면 불용성의 Li-AI LDH의 생성속도가 빠르고 용해도가 낮아 저농도 염수에도 적용이 가능하다”며 “염수에서 80% 이상의 리튬회수가 가능하고, 지열수 및 리튬 폐수에도 적용이 가능한 장점이 있다”고 말했다.

 

리튬코리아는 미국 신재생에너지 기업에 리튬직접추출의 기술을 소개했고, 지난 4월 KIGAM과 미국 염호 리튬 자원회수 생산 공정개발을 의뢰하는 연구수탁 계약을 체결했다. 또 미국 MRI(Mineral Resources International)와 전략적 파트너 계약을 맺고 그레이트솔트레이크의 염호에서 리튬 회수 실험을 진행하고 있다.

 

이 관계자는 “리튬코리아와 KIGAM은 지난 9월 미국 솔트레이크주의 그레이트솔트레이크와 임패리얼카운티의 솔튼씨지역을 방문해 그레이트솔트레이크의 염호에서 리튬을 생산하기 위해 파일럿 플랜트 설치 계약을 체결했다”며 “다음달 지엔원에너지 인수를 마무리한 뒤 리튬 사업의 진행사항과 성과를 공개할 예정”이라고 말했다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너