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[스몰캡 터치]나노신소재, CNT도전재 캐파 증가로 고성장 기대

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Sunday, October 02, 2022, 08:10:00

CNT도전재 캐파 증설 중
태양광 소재 부문서도 주목

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ나노신소재가 2차전지 소재 부문의 CNT도전재 생산 확대를 통한 성장을 준비하고 있다. 여기에 태양광 소재의 수요가 점차 증가할 것으로 예상되면서 주가도 올해 들어 꾸준히 우상향하고 있다.

 

나노신소재는 지난 2000년 설립해 CNT도전재 생산을 주력 사업으로 하고 있다. TCO 타겟 생산을 통해 태양광 소재 시장에도 진출해 있는 상태다.

 

나노신소재는 3분기 매출액과 영입이익이 각각 260억원, 59억원을 기록하며 매분기 꾸준히 이익 성장을 시현해오고 있다. 중국 공장 양산으로 CNT도전재의 이익 기여도가 발생했고 태양전지향 판가 상승과 판매량이 증가하며 TCO 타겟 실적도 성장했다.

 

회사는 지난 5월 800억원의 자금모집을 통해 해외 3곳에 전방 고객사들의 생산설비와 연계한 생산기지를 구축 중이다. 메리츠증권은 내년까지 CNT도전재 2만 1000톤의 이상의 생산규모를 갖출 수 있을 것으로 전망했다.

 

노우호 메리츠증권 연구원은 “해당 생산규모를 가정한 연간 매출액은 내년 1559억원, 2024년 3892억원을 기록할 것”이라며 “생산 캐파 증가에 따른 기업 가치 상승도 동반될 것”이라고 말했다.

 

증권사들은 CNT도전재의 성장성과 더불어 TCO 타겟 수요의 증가로 태양광 소재 부문에서도 주목해야 한다고 전했다. 하이투자증권은 태양광이 전면전극을 통해 통과해야 하는 태양전지에서 전기전도도가 높은 투명전극을 형성하기 위한 TCO 타겟 사용이 필수적이라고 설명했다.

 

정원석 하이투자증권 연구원은 “탄소 중립 달성과 에너지 자립을 위한 유럽, 미국 등의 태양광 발전 투자 확대에 의한 수혜가 기대된다”며 “이를 바탕으로 가파른 실적 상승세를 나타낼 것”이라고 말했다.

 

이어 그는 “올해 나노신소재의 매출액과 영업이익은 각각 전년 동기 대비 45%, 239% 증가한 883억원, 194억원을 기록할 것”이라며 “CNT도전재와 TCO 타겟의 성장을 통해 오는 2024년 569억원의 영업이익을 달성할 것으로 예상한다”고 설명했다.

 

이같은 성장성을 바탕으로 나노신소재의 주가도 꾸준히 우상향 하고 있다. 올해 초 4만원대를 기록하던 주가가 최근 최고 10만 500원을 기록했다. 최근 주가가 밀리며 8만원 전후에서 거래되고 있지만 연초 저점 대비 60% 이상 상승한 상태다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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