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오픈엣지테크, 이달 코스닥 입성…“글로벌 AI 반도체 IP 설계기업으로 성장”

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Thursday, September 08, 2022, 12:09:20

고부가 제품 연구개발·글로벌 거점 확대 박차
15~16일 일반 청약..최대 655억 공모

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ인공지능 반도체 IP(Intellectual Property) 설계 플랫폼 전문 회사 오픈엣지테크놀로지(이하 오픈엣지)가 이번달 코스닥 입성을 앞두고 있다. 오픈엣지는 상장을 통해 확보한 공모자금을 5nm, 4nm 포함 공정 IP 제품 등 고부가가치 제품의 연구개발과 IP 개발 전문 인력 확보, 글로벌 거점 확대와 같은 사업 확장을 위한 투자에 사용한다는 방침이다.

 

오픈엣지는 7일 여의도 63컨벤션에서 기자간담회를 열고 코스닥 상장 후 성장 전략을 이같이 밝혔다.

 

오픈엣지는 자체 보유한 원천기술을 기반으로 AI 반도체 IP를 설계하고 개발하는 전문 기업이다. 시스템 반도체 산업의 전방에서 시장 수요에 따라 AI 반도체 칩 설계에 필요한 핵심 기능 블록을 선행 개발하며, 해당 기능 블록을 반도체 칩 설계 회사(팹리스, 디자인하우스, 종합 반도체 업체)에 공급한다.

 

새로운 반도체 칩 하나를 양산하기까지 1000억원 이상의 자금이 소요되는 만큼, 개발 실패로 인한 손실 위험을 줄이기 위해서는 선행 개발 과정을 거친 검증된 반도체 IP의 역할이 중요하다고 회사측은 설명했다. 오픈엣지는 반도체 IP 시장에 초점을 맞춰 차별화된 설계 기술을 활용해 조기 시장 진입에 성공했다고 전했다.

 

특히, 오픈엣지는 인공신경망 연산장치(NPU)와 메모리 시스템 IP를 결합시킨 ‘인공지능 반도체 IP 플랫폼’을 개발했다. 개별 IP를 공급하는 방식과 다르게 AI 반도체 통합 IP 솔루션을 통해 턴키(Turn-key) 형태로 공급하는 기술력을 갖췄고 기술력을 인정받아 지난 1월 나이스디앤비로부터 예비기술성평가에서 반도체 IP 업계 최초로 AA 등급을 획득했다.

 

오픈엣지는 현대자동차, SK하이닉스 등 국내 대기업들과 전략적 협력관계를 구축했고 글로벌 톱티어 팹리스 업체를 포함해 현재 30건 이상의 라이선스 계약을 체결했다. 오픈엣지는 올해 2022년 상반기 지난해 연간 매출의 135%를 달성했고 내년 흑자 전환을 기대하고 있다.

 

이성현 오픈엣지 대표는 “그동안 기술력과 경쟁력을 갖추기 위해 매진해왔다면 앞으로는 시장 확대 및 매출 신장을 이룰 차례”라며 “빠르게 성장하는 AI 반도체 시장에서 글로벌을 대표하는 AI 반도체 IP 설계 기업으로 도약해 국내 시스템 반도체 산업 발전에 기여하는 기업으로 거듭나겠다”고 말했다.

 

오픈엣지의 총 공모 주식 수는 363만 6641주이고 1주당 공모 희망가액은 1만 5000원에서 1만 8000원원으로 최대 655억원을 공모할 수 있다. 이날부터 양일 간 기관 수요예측을 진행해 공모가를 확정한 뒤, 오는 15일과 16일 이틀 동안 일반 투자자들을 대상으로 청약을 진행할 예정이다. 주관사는 삼성증권이다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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