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KG그룹, 쌍용차 인수대금 300억 추가…사실상 인수 ‘매듭’

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Friday, August 12, 2022, 14:08:16

상거래채권단 요구 수용
추가투자로 실질 변제율 41.2%

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ쌍용자동차 인수를 앞둔 KG그룹이 쌍용차의 회생채권 변제를 위해 300억을 추가 투자하기로 결정했습니다. 이에 따라, 그동안 현금변제율이 낮다는 이유로 회생계획안에 반대 입장을 표했던 상거래 채권단이 찬성의사를 밝히며 사실상 인수를 매듭짓게 됐습니다.

 

12일 업계에 따르면, KG그룹은 지난 11일 쌍용차 인수대금에 300억원을 추가 투자하겠다는 의사를 밝혔습니다. 300억원의 추가 투자를 결정하며 쌍용차 총 인수대금은 3355억원에서 3655억원으로 늘어나게 됐습니다.

 

이번 인수대금 추가투자 결정은 KG그룹이 쌍용차 상거래 채권단의 의견을 어느 정도 반영한 것이라고 할 수 있습니다.

 

상거래 채권단은 당초 회생계획안에서 제시한 회생채권 현금변제율 6.79%가 낮다는 이유로 회생계획안에 반대한다는 입장을 낸 바 있습니다. 따라서 현금변제율을 높여 신뢰를 회복하고자 이같은 결정을 내렸다는 평가입니다.

 

인수대금 300억원이 추가로 투자될 경우 채권 현금 변제율의 경우 6.79%에서 13.92%로 증가하게 됩니다. 실질 변제율도 36.39%에서 41.2%로 늘게 됨에 따라 채권단이 요구했던 40~50%의 실질 변제율 기준을 충족하게 됐습니다.

 

이에 따라 오는 26일 관계인집회에서 KG그룹의 쌍용차 최종인수가 결정되는 회생계획안 찬반 투표도 차질없이 진행될 것으로 업계는 내다보고 있습니다. 회생담보권자의 4분의 3, 회생채권자의 3분의 2, 주주의 2분의 1 이상이 찬성해야 법원의 최종 인가로 이어져 인수가 확정되는 데 회생채권자의 대다수가 채권단이기 때문입니다. 사실상 채권단이 인수 결정의 키를 쥐고 있는 셈입니다.

 

KG그룹은 회생절차 종결 이후 예정된 신차 개발계획에 기존 상거래채권자들을 최대한 참여시켜 향후 동반성장의 토대를 확고히 한다는 계획도 잡았습니다.

 

상거래 채권단은 주요 협력사 대표가 참여한 회의를 열어 KG그룹의 제안을 수용하고 회생계획안에 찬성하기로 뜻을 모았습니다. 이어 오는 16일 340여개 협력업체가 참여하는 화상회의를 통해 회생계획안 찬성에 대해 추인받는 절차를 진행할 예정입니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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