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쳥약열기 더 끓는다…4차 사전청약 첫 날 39만 명 몰려

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Thursday, January 13, 2022, 14:01:38

3차 사전청약 당시 첫 날 접속자 ‘2배 이상’
역대 최대 물량·3기 신도시 호재 등으로 ‘관심 집중’

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ고양 창릉, 남양주 왕숙 등 3기 신도시를 포함한 수도권 공공택지 총 12곳에서 4차 사전청약 접수가 시작된 가운데 접수 첫 날 40만 명에 가까운 접속자가 청약사이트에 몰린 것으로 나타났습니다.

 

13일 한국토지주택공사(이하 LH)에 따르면, 4차 사전청약 접수 첫 날인 지난 10일에만 청약 사이트에 39만 명이 접속했습니다. 지난 3차 사전청약 당시 첫 날 접속자 수인 17만 명의 두배를 뛰어넘는 수치입니다.

 

4차 사전청약의 ‘역대급 열기’는 그동안 진행된 사전청약 가운데 최대 물량 규모와 동시에 서울과 가까운 수도권 입지에 비교적 저렴한 분양가로 내 집 마련이 가능하다는 점 등이 주된 원인으로 분석됩니다.

 

4차 사전청약 공급 물량은 1만 3552가구(공공분양 6400가구, 신혼희망타운 7152가구)로 1차 4333가구, 2차 1만 100가구, 3차 4167가구를 뛰어넘는 최대 규모 공급량입니다. 1~3차를 합친 1만 8600가구와 비교했을 때도 72% 수준에 달하는 물량입니다.

 

청약 대상지 별 물량은 남양주왕숙 2352가구, 부천대장 1863가구, 고양창릉 1697가구, 시흥거모 1325가구, 안산장상 922가구, 안산신길2 1372가구, 고양장항 825가구, 인천계양 302가구, 성남금토 727가구, 부천역곡 927가구, 서울대방 115가구, 구리갈매역세권 1125가구입니다.

 

또한, 분양가 상한제 적용으로 주변 시세와 비교했을 경우 60~80%이하 수준으로 저렴하다는 특징이 있습니다. LH에 따르면, 고양창릉은 분양가 4~6억 원, 서울대방은 분양가 7억 원 수준이며, 남양주 왕숙, 부천 대장 등 나머지 지역은 분양가 3~5억 원대로 형성돼 있습니다.

 

청약 대상지 중 3기 신도시인 남양주 왕숙, 부천 대장, 고양 창릉의 잠재적 가치 또한 사전청약에 대한 높은 관심을 끌어올린 것으로 보입니다. 특히, 남양주 왕숙지구는 수도권 광역급행철도(GTX-B)와 지하철 8호선 등이 예정돼 있어 향후 우수한 교통 인프라를 갖춘 신도시로 기대를 모으고 있습니다.

 

부동산 업계 관계자는 “신도시가 갖고 있는 다양한 메리트는 전통적으로 주택 수요자들의 관심을 끌어왔던 요소”라며 “사전청약 열기는 서울 도심 접근성이 좋은 위치에 최대 규모의 물량이 공급돼 아파트 매수에 어려움을 겪은 무주택자들의 관심이 쏟아진 것으로 분석된다”고 말했습니다.

 

4차 사전청약 공공분양 접수 일정은 공공분양 청약 접수는 오는 14일까지 특별공급 접수를 시작으로  17일 일반공급 1순위 중 ‘해당지역 거주·무주택기간 3년·청약저축납입금액 600만 원 이상 납입자’, 18일 1순위 중 해당지역 거주자 전체, 19~21일 1순위 중 수도권 거주자를 대상으로 진행됩니다.

 

신혼희망타운의 경우 오는 14일까지 해당지역 거주자를 대상으로, 17일부터 21일까지는 수도권 거주자를 대상으로 청약 접수가 진행됩니다. 4차 사전청약 당첨자 발표 예정일은 오는 2월 17일입니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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