인더뉴스 이진솔 기자ㅣSK하이닉스가 차세대 메모리로 주목되는 고대역폭 메모리를 한 층 강화했다.
SK하이닉스가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 이 제품은 SK하이닉스가 개발한 HBM(고대역폭 메모리·High Bandwidth Memory)을 발전시킨 메모리 반도체다. 이전 규격인 HBM2보다 처리속도가 50% 빠르다.
HBM이 기존 DDR 메모리보다 빠른 데이터 처리 속도를 자랑하는 이유는 TSV(Through Silicon Via) 기술 덕분이다. 이는 D램 칩에 미세한 구멍 수천 개를 뚫어 상층과 하층 칩에 난 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 패키징 기술이다. 기존 방식보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어든다.
이번에 개발한 HBM2E는 초당 3.6Gb 처리 속도를 구현할 수 있다. 1024개 정보 출입구로 초당 460GB 데이터 처리를 지원한다. 영화(3.7GB) 124편 분량을 1초에 처리하는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준 16Gb 칩 8개를 TSV로 연결해 16GB를 구현해 기존보다 두 배가량 높아졌다.
HBM2E는 고성능 GPU 등 머신러닝과 인공지능(AI) 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. 메모리 칩을 모듈로 만들어 메인보드에 붙이는 방식이 아니라 칩 자체를 GPU 같은 로직 칩에 수십 ㎛(마이크로미터) 간격으로 장착한다. 칩 간 거리를 줄여 더 빠른 데이터 처리를 제공한다.
TSV 같은 첨단 기술이 사용된 차세대 메모리 영역인 만큼 보급형 모바일, PC 제품보다는 초고성능 컴퓨터나 서버에 탑재될 가능성이 높다. 제품은 10나노급 공정에서 생산된다.
전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 “SK하이닉스는 지난 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 내년부터 본격 양산을 시작해 리더십을 지속 강화하겠다”고 말했다.
