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9월 경상수지 100억 달러…‘17개월 연속 흑자’

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Friday, November 05, 2021, 09:11:55

석유제품·철강·반도체 수출 호조세
해상·항공 화물운임 급등에 운송수입 대폭 증가

 

인더뉴스 이수민 기자ㅣ한국은행이 5일 발표한 '2021년 9월 국제수지(잠정)'에 따르면 지난 9월 국내 경상수지는 100억 7000만 달러 흑자를 나타냈습니다. 이는 17개월 연속 흑자입니다. 다만 전년 동월 대비 흑자폭이 2억 7000만 달러 줄었습니다.

 

앞서 경상수지는 지난해 4월 32억 9750만 달러의 적자를 기록한 뒤 5월 22억 4120만 달러 흑자로 돌아섰습니다. 이어 지난 9월까지 흑자 행진을 이어오고 있습니다.

 

경상수지란 국가 간 상품, 서비스의 수출입과 함께 자본, 노동 등 모든 경제적 거래를 합산한 통계입니다. 경상수지에서 가장 큰 부분을 차지하는 상품수지 흑자 규모는 지난해 9월 121억 1000만 달러에서 지난 9월 94억 5000만 달러로 감소했습니다.

 

상품수지를 구성하는 수출은 전년 동월대비 71억 3000만 달러(14.5%) 늘어난 564억 4000만 달러를 기록해 11개월 연속 증가했습니다. 전 세계 경기가 회복되면서 반도체 등 대부분 품목에서 수출 호조가 이어진 영향입니다.

 

품목별로는 석유제품이 77.2% 뛰었습니다. 이어 ▲철강제품(32.3%) ▲화공품(29.2%) ▲정보통신기기(35.1%) ▲반도체(26.9%) 등도 증가세를 보였습니다.

 

수입은 97억 8000만 달러(26.3%) 늘어난 469억 8000만 달러로 10개월 연속 늘었습니다. 이는 천연가스, 원유 등 원자재 가격이 급등한 영향입니다. 원자재는 61.5%, 자본재와 소비재도 각각 10.0%, 7.3% 증가했습니다.

 

서비스수지는 지난해 9월 20억 8000만 달러 적자에서 올해 9월 2000만 달러 적자로 적자폭이 20억 6000만 달러 축소됐습니다.

 

본원소득수지는 7억 5000만 달러 흑자를 기록, 전년 동월 대비 흑자폭은 6000만 달러로 확대됐습니다.

 

자본 유출입을 나타내는 금융계정 순 자산은 9월 중 97억 8000만 달러 늘었습니다. 직접투자에서 내국인의 해외투자가 43억 5000만 달러 증가한 반면, 외국인의 국내 투자는 3억 4000만 달러 감소했습니다.

 

내국인의 해외 증권 투자가 77억 6000만 달러 늘면서 증권투자는 18개월 연속 증가세를 이어갔습니다. 이는 해외주식투자와 채권투자 모두 증가폭이 확대된 영향입니다. 외국인의 국내 증권투자는 78억 3000만 달러를 기록해 증가 전환됐습니다.

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이수민 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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