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중기부 “한국 스타트업, 아세안 진출 팔 걷겠다”

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Friday, May 10, 2019, 09:05:45

한-아세안 스타트업 장관회의 추진...22년까지 온라인 수출기업 1만 5000개 육성

인더뉴스 박명기 기자ㅣ “2020년 ‘한-아세안 스타트업 장관회의’ 만들겠다.”

 

스타트업 장려와 육성에 가속 페달을 밟고 있는 정부가 한국 스타트업의 해외 진출에 적극적인 지원을 하겠다고 발표했다.

 

중소벤처기업부(장관 박영선)는 8일 기획재정부-산업통상자원부-문화체육관광부-관세청-특허청 등 관계부처 합동으로 마련한 중소벤처기업 수출-해외진출지원 대책을 발표했다.

 

특히 2022년까지 온라인 수출기업 1만 5000개와 지방 유망 기업 5000개 육성하겠다는 의지를 내비쳤다. 내수기업이 온라인 수출에 쉽게 도전하고 스타트업이 두려움 없이 해외진출이 가능하도록, 수출지원 제도 개편과 해외진출 기반 조성하겠다는 것.

 

중기부는 스타트업 해외 혁신거점 및 통합 시스템 구축을 위해 미국 시애틀과 인도 구르가온에 스타트업 진출 거점 신설을 추진한다. 해외 수출인큐베이터(BI) 22개소를 개방형 공간으로 전환, 무역관 중 20개소를 창업 지원을 위한 거점으로 지정한다.

 

동시에 해외 협력채널을 상호 연결시키는 공유플랫폼을 구축하고 ’수출친구맺기‘ 등 해외 네트워크 활용사업을 발굴-확대한다는 방침이다. 대규모 글로벌 성장자본 유치를 위해 글로벌 대기업 및 해외 벤처 투자자(VC)와의 교류‧매칭을 유도하고 투자 정보를 제공하기로 했다.

 

또한, 중기부는 한-아세안 스타트업-AC-VC 네트워킹 활성화 및 공동의 해외 진출 활성화를 위한 국제기구 설립을 제안했다. 기구설립 세부방안 논의를 위해 소관 장관 간 2020년 ‘한-아세안 스타트업 장관회의’ 및 MOU를 체결 추진한다. 단기적으로 한-아세안 스타트업 국제기구를 설립하고, 장기적으로 글로벌 규모로 확대 추진한다.

 

아세안 역내 스타트업-AC-VC 네트워킹 활성화와 스타트업 글로벌 활성화를 위한 창업비자 등 제도를 개선해 역량 강화 등을 추진한다. 싱가포르(Entrepass Visa, 2년), 한국(OASIS, 지재권 소유자, 2년), 인도네시아(창업비자 없음)

 

특히 11월 한-아세안 특별정상회의와 연계하여 대규모 글로벌 스타트업, 페스티벌 행사를 개최하고 한국의 대표 이벤트 브랜드로 정착한다. 이밖에 2020년 러시아 등 신북방 지역과 공동기술 개발 및 스타트업에 특화된 기술개발 등 해외진출 연계 기술개발사업 추진한다.

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박명기 기자 pnet21@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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