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반갑다! 한-아세안센터, 30주년 맞아 ‘한-아세안 저널’ 창간

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Friday, May 24, 2019, 09:05:43

아세안 종합 매거진, 아세안 내 한류와 한국 내 아세안류 창간 특집 눈길

 

인더뉴스 박명기 기자ㅣ ‘한-아세안 대화관계수립 30주년 기념’을 맞아 의미 있는 잡지가 창간되었다.

 

한-아세안센터(사무총장 이혁)는 한-아세안 대화관계수립 30주년 및 한-아세안센터 설립 10주년을 기념해 ‘한-아세안 저널’을 지난 23일 창간했다. 저널은 아세안에 대한 지식을 널리 전파하는 아세안 종합 매거진으로써 연 1회 국영문 합본으로 발행된다.

 

저널 내용은 ▲한국 속 아세안 커뮤니티의 모습을 담은 ‘한국 속 아세안 스케치’ ▲아세안 회원국들의 문화 및 축제 이야기를 풀어내는 ‘아세안 문화이야기’ ▲아세안의 음식 및 조리법 등을 소개하는 ‘아세안 레시피’ ▲아세안 및 한-아세안 관계에 대한 현황 및 분석을 다룬 ‘아세안 포커스’ 및 ▲아세안 및 한-아세안 관련 경제·무역·투자·관광·인적교류 등의 통계를 담은 ‘아세안 업데이트’ 등으로 구성된다.

 

이혁 한-아세안센터 사무총장은 “올해 한-아세안 대화관계수립 30주년을 맞아 11월 한-아세안 특별정상회의의 부산 개최 등 아세안과 한-아세안 관계에 대한 전국민적 관심이 증폭되는 가운데 관련 정보에 대한 수요가 급증하고 있다”고 말했다.

 

이어 “올아세안의 정치, 경제, 사회, 문화 제반 분야에 대한 양질의 자료를 제공하고, 나아가 한국과 아세안 국민들이 서로에 대한 이해를 한층 심화해 한-아세안 미래 공동체를 함께 만들어 나가는데 기여하기 위해 매체를 창간하게 됐다”고 덧붙였다.

 

창간호에는 ‘아세안 내 한류와 한국 내 아세안류’를 주제로 다양한 칼럼과 함께 다토 림 족 호이(H.E. Dato Lim Jock Hoi) 아세안 사무총장의 특별 기고문이 실렸다.

 

또한 강경화 외교부 장관, 2019년 아세안 의장국인 태국의 돈 쁘라맛위나이(H.E. Don Pramudwinai) 외교장관 외 천 더하이 (H.E. Chen Dehai) 중-아세안센터 사무총장 및 마사타카 후지타(H.E. Masataka Fujita) 일-아세안센터 사무총장이 축하 메시지를 통해 저널 창간을 축하했다.

 

‘한-아세안 저널’ 창간호는 한-아세안센터 아세안홀(서울 프레스센터 8층)에서 받아볼 수 있으며, 한-아세안센터 홈페이지를 통해 E-Book을 다운로드 받을 수 있다.

 

 

한편, ‘한-아세안 저널’ 창간호 목차 (주제: 아세안 내 한류와 한국 내 아세안류)는 다음과 같다. 

 

- 발간사 (이혁 한-아세안센터 사무총장)

- 축사 (강경화 외교부 장관, 돈 쁘라맛위나이 태국 외교부 장관, 천 더하이 중-아세안센터 사무총장, 마사타카 후지타 일-아세안센터 사무총장)

- 특별기고 (림 족 호이 아세안 사무총장)

- <한국 속 아세안 스케치> 리틀 마닐라 서울 속 필리핀 (김혜영 여행작가)

- <아세안 문화이야기> 미얀마의 신년 축제 물의 축제 띤장 (박장식 부산외국어대학교 교수)

- <카툰: 아세안 레시피> 인도네시아 나시고랭 라오스 땀막홍 (이수현 그림작가)

- <아세안 포커스> 한류와 한-아세안 관계 (리 라이토 태국 매파루앙대학교 아시아국제개발연구센터 교수), 한국의 아세안류 (윤진표 성신여자대학교 교수), 아세안 내 한류와 한국 내 아세안류 전문가 대담회

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박명기 기자 pnet21@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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