인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스가 차세대 반도체 노광 장비 도입과 미세공정(리소그래피) 기술 고도화를 통한 초격차 기술 경쟁력 확보에 나섭니다.
SK하이닉스[000660]는 메모리 업계 최초로 양산용 'High NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념행사를 진행했다고 3일 밝혔습니다.
'High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)'는 기존 EUV(극자외선) 리소그래피보다 더 큰 NA를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비입니다. 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심 역할을 담당합니다. NA(개구수)는 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치로 값이 클수록 더 정밀한 회로 패턴 구현이 가능합니다.
이번 장비 도입으로 반도체 생산 공정에서 회로를 더 정밀하게 구현, 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 높아질 것으로 기대됩니다. 동일한 크기의 웨이퍼에서 보다 더 미세하게 회로를 그리면 단위 면적당 칩 생산량이 늘어나 원가 경쟁력에서 앞설 수 있게 된다는 평가입니다. 이에 반도체 업체들은 미세 공정 기술 고도화에 열을 올리고 있습니다.
이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했습니다.
SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화하겠다"고 밝혔습니다.
SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔습니다. 여기에 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 장비와 기술이 필요할 것으로 판단해 이번 장비를 도입하게 됐다고 설명했습니다.
이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델입니다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있습니다.
SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침입니다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했습니다.
김병찬 ASML코리아 사장은 "High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술"이라며 "SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다"고 전했습니다.
차선용 SK하이닉스 CTO는 "이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"라고 말했습니다.
