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'치고받고 싸우면' 건강보험 혜택 못받아요

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Thursday, September 18, 2014, 10:09:27

건보공단 이의신청委 결정..“최소한의 방어에는 예외”

인더뉴스 문정태 기자ㅣ 쌍방 간의 폭행으로 부상을 입을 경우 국민건강보험의 혜택을 보지 못 하게 된다.

 

국민건강보험공단은 지난 제14차 건강보험이의신청위원회에서 서로 폭력을 행사하는 과정에서 상해를 입고 건강보험으로 진료를 받아 발생한 (건강보험공단)부담금을 환수고지한 처분은 정당하다는 결정을 내렸다고 18일 밝혔다.

 

위원회는 건강보험은 쌍방폭행 같은 고의의 범죄행위에 원인이 있는 보험사고에는 보험급여를 하지 아니한다“A씨의 부담금 환수에 대한 이의신청을 기각했다고 덧붙였다.

 

위원회에 따르면 A씨는 지난 1월 새벽 술집 앞에서 담배를 피우고 있는 B씨에게 시비를 걸며 폭행했다. 이에 대항해 B씨도 A씨를 폭행하는 등 서로 상대방에게 폭력을 행사했다.

 

이 과정에서 A씨가 뇌진탕의 상해를 입었으며, A씨와 B씨 모두 사법기관에서 폭력행위등처벌에관한법률위반(공동상해)’으로 처벌을 받았다.

 

건보공단은 A씨가 쌍방폭행으로 입은 부상에 대해 건강보험으로 진료를 받아 발생한 공단부담금 1318070원을 부당이득금으로 결정, 6월에 환수고지를 했다. 이에 A씨는 부당하다며 이의신청을 제기했다.

 

국민건강보험법 제53조제1항제1호는 보험급여를 받을 수 있는 사람이 고의로 인한 범죄행위에 원인이 있는 경우 보험급여를 하지 아니한다고 규정하고 있다.

 

고의의 경우 우연성이 결여돼 보험의 원리에 벗어나는 데다 사회적으로 비난받는 행위. 따라서 이 같은 사고에 대해 보험급여가 이루어지는 것은 사회연대의식에 맞지 않다는 게 위원회의 입장이다.

 

위원회는 쌍방폭력행위는 가해행위가 방어행위인 동시에 공격행위의 성격을 가지므로, 일방의 행위만을 공격행위 또는 방어행위로 볼 수 없다자신에게 상해의 결과가 초래될 가능성을 예견·인용한 상태에서 이루어지는 것으로 사회통념상 용인될 수 없는 형법상 범죄행위라고 설명했다.

 

다만, “타인의 폭행으로부터 자신을 보호하거나 피하려고 최소한의 저항 내지는 본능적 방어행위로 상대방에게 경미한 상해를 가한 경우에는 건강보험제도의 목적에 비춰 건강보험급여가 인정될 수 있다고 덧붙였다.


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문정태 기자 hopem1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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