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SK텔레콤-삼성전자, 5G 고도화 및 6G 개발 업무협약 체결

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Tuesday, June 18, 2019, 11:06:21

5G 고도화·6G 진화 기술 공동 연구 추진 위해 MOU 맺어
“최고 수준 5G 서비스 제공 위해 전방위적 협력할 것”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 세계 최초 5G 상용화에 성공한 SK텔레콤과 삼성전자가 5G 고도화 및 6G로의 진화를 위한 협력을 약속했다. 

 

18일 SK텔레콤(대표이사 사장 박정호)에 따르면 지난 17일 삼성전자와 경기도 분당 SK텔레콤 ICT기술센터에서 5G 고도화 및 6G 진화 기술 공동 연구 추진을 위한 업무협약을 맺었다.

 

먼저 SK텔레콤과 삼성전자는 5G 기술의 고도화를 위해 적극 협력할 계획이다. 두 회사는 ▲28GHz 차별화 ▲초고신뢰∙저지연 통신(Ultra Reliable and Low Latency, URLLC) ▲자율주행차량 및 드론용 V2X(Vehicle-to-Everything) 통신 ▲5G SA(Stand-Alone) 망 진화 ▲다중 안테나 기술 고도화(MIMO Enhancement) ▲5G 인빌딩 솔루션 연구와 상용화에 나선다.   

 

또한 SK텔레콤과 삼성전자는 고객에게 최고의 5G 서비스를 제공하기 위해 상용 서비스 출시 관련 전방위적 협력을 약속했다. 두 회사는 5G 관련 ▲네트워크 기술 ▲혁신적인 단말과 소프트웨어 ▲스마트 솔루션의 공동 개발과 상용화에 나선다.

 

SK텔레콤과 삼성전자는 5G를 넘어 6G 전반에 대한 공동 R&D 추진도 나선다. 두 회사는 긴밀한 협의를 통해 6G 기술 요구사항을 도출하고 주요 기술을 발굴∙개발하는 한편, 6G를 활용한 신규 사업 모델도 공동으로 연구하기로 했다. 

 

이번 협약으로 SK텔레콤은 LTE, 5G에서 긴밀하게 협력해온 삼성전자, 노키아, 에릭슨 주요 장비 3사 모두와 5G 고도화 및 6G 진화 기술 공동 연구에 대한 협약을 맺게 됐다. 

 

박진효 SK텔레콤 ICT기술센터장(CTO)은 “이번 협약이 SK텔레콤과 삼성전자의 글로벌 5G 리더십 강화의 계기가 되기를 기대한다“며 “SK텔레콤은 파트너사와의 긴밀한 협력을 바탕으로 세계 최고의 5G 품질 확보 및 향후 6G 이동통신 기술의 진화에도 앞장 설 것”이라고 말했다.

 

전재호 삼성전자 네트워크사업부 개발팀장은 “현재 상용화된 5G의 망 최적화와 고도화에 부족함이 없도록 SK텔레콤과 지속 협력할 것“이며 “SK텔레콤과의 개발 협력을 통해 5G에 더하여 향후 펼쳐질 6G 시대를 함께 열어갈 것“이라고 말했다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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