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작년 보이스피싱 피해액 4440억...日 134명씩 피해

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Thursday, February 28, 2019, 06:02:00

금감원, 2018년 보이스피싱 피해 보고서 발표..피해액 전년比 82.7% 증가
전화가로채기앱 등 수법 지능化..“사기 인지 때 지체없이 경찰·금융사 신고”

 

인더뉴스 김현우 기자ㅣ # 지난해 9월 A씨(52세, 자영업)는 성명불상자로부터 “ㅇㅇ저축은행 박ㅇㅇ 대리입니다. 고객님은 저리(低利)로 대환대출 가능하십니다. 대출전용 애플리케이션(앱)을 설치해 모바일로 신청하세요”라는 안내 문자메시지를 받고 앱을 설치해 대출을 신청했다.

 

잠시 후 박ㅇㅇ 대리라며 전화한 대출상담원이 “기존 대출상환을 위해 알려주는 계좌로 ㅇ천만원을 입금하라”고 해 대출사기가 의심스러워진 A씨는 확인을 위해 전화를 끊었다. 이후 해당 저축은행으로 전화했으나 방금 통화한 박ㅇㅇ이 다시 전화를 받아 안심하고 송금했다.

 

하지만 일주일이 지나도 연락이 없어 대출사기임을 깨닫고 뒤늦게 지급정지했으나 이미 사기범은 돈을 인출해 잠적한 상태였다.

 

위 사례는 전화 가로채기 앱을 통한 사기수법으로 사기범이 A씨에게 설치를 요구한 앱이 사기에 이용됐다. 이처럼 악성 프로그램을 활용한 신종 보이스피싱 피해가 나타나는 등 그 수법이 점차 지능화되고 있다.

 

28일 금융감독원(원장 윤석헌)이 발표한 보이스피싱 피해 관련 통계 자료에 따르면, 작년 보이스피싱 피해액은 4440억원으로 전년보다 2009억원(82.7%)이 늘었다. 일 평균으로는 12억 2000만원(1인당 평균 931만원) 수준이다.

 

보이스피싱 피해자는 4만 8743명으로 일 평균 134명이 사기를 당했다. 사기에 이용된 계좌도 6만 933개로 전년과 비교해 33.9%(1만 5439개)가 증가했다.

 

 

지난해 피해사례를 살펴보면, 자금사정이 어려운 서민들에게 낮은 금리 대출로 유혹해 수수료 등으로 금전을 편취하는 대출빙자형 피해가 약 70%를 차지했다. 검찰·경찰 등 사칭, SNS에서 지인으로 가장하는 ‘사칭형’ 피해액은 1346억원으로 전체 비중에 30%가량 차지한다.

 

피해자 연령별로는 40‧50대 피해액(2455억원)이 56.3%를 차지했고, 60대 이상 피해액은 22.6%(987억원), 20‧30대 피해액은 21.0%(915억원)를 차지했다. 특히, 60대 이상의 피해액은 전년 대비 233.3% 증가해 다른 연령대에 비해 크게 늘었다.

 

성별은 남성 피해액이 52.4%(2284억원), 여성 피해액이 47.6%(2074억원)로 성별간 피해액의 차이는 크지 않았다. 사기에 이용된 계좌는 은행권이 66.1%(4만 289개), 상호금융·우체국 등 제2금융권이 33.9%(2만 644개)를 차지했다.

 

이에 따라 금감원은 몇가지 주의사항을 소개했다. 우선 신규대출이나 저금리 전환대출이 가능하다며 특정 계좌로 송금을 요구하거나 범죄에 연루돼 자산보호조치를 위해 송금을 요구하는 행위는 전형적인 보이스피싱 수법이다.

 

‘현금전달 재택알바’, ‘가상화폐·상품권 구매대행 알바’ 등을 모집해 현금카드나 계좌번호 등을 알려달라는 수법도 있다.

 

금감원 관계자는 “통장·계좌번호를 남에게 알려 주는 것은 전자금융거래법 등의 위반으로 형사처벌 대상이 될 수 있고 피해자에 대한 손해배상책임도 질 수 있으므로 각별한 주의가 필요하다”고 말했다.

 

이어 “추가·전환대출이 필요한 경우 서민을 위한 정책금융상품을 취급하는 서민금융진흥원(햇살론) 등에 우선 상담해 주실 것을 당부 드린다”며 “보이스피싱 사기를 당했다면 지체없이 경찰이나 해당 금융사 등에 신고해야 한다”고 덧붙였다.

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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