인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 스페인 바르셀로나에서 열린 'MWC 2026'에서 AI 기술 역량과 주요 메모리 솔루션을 소개했다고 5일 밝혔습니다.

올해 MWC는 '지능화 시대(The IQ Era)'를 슬로건으로 모든 연결기기가 AI와 결합해 새로운 가능성을 열어가는 최근 트렌드를 반영했습니다. 이에 따라 모바일, 네트워크뿐 아니라 AI, 전장 분야까지 전시 범위를 넓혔습니다.

SK하이닉스는 이러한 전시 기조에 발맞춰 회사가 보유한 AI 및 전장 분야 주요 메모리 솔루션을 전시관 곳곳에 배치하고 '풀 스택 AI 메모리 크리에이터'로서 비전을 제시하는 데 집중했다고 강조했습니다.

SK하이닉스는 반도체 웨이퍼의 '원형'을 모티브로 전시관을 조성하고 메모리 반도체 기술들을 소개했습니다.

1층 메인 전시 공간은 ▲HBM ▲AI 데이터센터 메모리 ▲온디바이스 AI 메모리 ▲오토모티브 메모리 등 4개의 존으로 구성했고 2층은 미팅 룸과 라운지로 활용했습니다.

HBM 존에는 차세대 AI 데이터센터용 서버 플랫폼에 탑재되는 'HBM4'가 전시됐습니다. HBM4는 2048개의 데이터 출입 통로(I/O)가 적용돼 이전 세대 대비 2.54배에 달하는 대역폭을 확보하고 전력 효율을 40% 이상 개선해 초고성능 AI 연산에 활용도가 높은 솔루션으로 평가받고 있습니다.

이에 더해 글로벌 고객사의 최신 AI 데이터센터 서버용 GPU 모듈에 활용되고 있는 'HBM3E 12단'도 선보였습니다.

AI 데이터센터 메모리 존에서는 DDR5 기반 모듈 제품들과 고용량과 고성능을 구현한 eSSD 제품들이 소개됐습니다. D램은 ▲세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정 기술을 적용한 'DDR5 RDIMM(64GB)' ▲AI 환경에 적합하도록 집적도를 높인 '3DS DDR5 RDIMM(256GB)' ▲고용량과 고대역폭을 확보한 'DDR5 MRDIMM(96GB)' 등 스펙의 제품들이 공개됐습니다.

또한, AI용 고성능 모듈에 LPDDR5X의 저전력 특성을 결합해 고효율 구현이 가능한 차세대 메모리 모듈 'SOCAMM2(192GB)'도 함께 선보였습니다.

eSSD는 ▲액체 냉각(Direct Liquid Cooling, DLC)을 지원하는 'PEB210 E1.S(9.5㎜)' ▲NVMe E3.S 규격에 맞춰 고사양 퍼포먼스에 최적화한 'PS1110 E3.S' ▲QLC 낸드 기반으로 122TB까지의 용량을 구현한 'PS1101 E3.S' 등 AI 데이터센터 시장을 겨냥한 제품들로 포트폴리오를 구성했습니다.

SK하이닉스는 이번 전시에서 메모리 솔루션뿐 아니라 온디바이스나 자율주행, 커넥티드 카를 아우르는 전장 분야까지 넓혀 기술 역량을 전시했습니다.

온디바이스 AI 메모리 존에서는 LPDDR 라인업 중 최신 제품인 'LPDDR6'을 선보였습니다. 이와 함께 ▲저전력 스토리지 제품군 중에서는 이전 세대 대비 성능 및 전성비를 개선한 'UFS 4.1(1TB)' ▲16GB LPDDR5X와 512GB UFS를 결합한 'uMCP 4.1' ▲이전 버전 대비 작은 패키지 사이즈를 가지는 'ZUFS 4.1' 등 카테고리별 최신 제품들도 공개됐습니다.

오토 존에서는 자율주행 성능을 지원하기 위한 메모리 솔루션이 제시됐습니다. D램은 10나노급 6세대 공정 기술을 적용해 데이터 전송속도를 개선하고 제반 성능을 고도화한 ▲오토모티브 LPDDR6 ▲오토/로보틱스 LPDDR5/5x 등 2개 제품이 전시됐습니다.

낸드는 ▲오토 UFS3.1 ▲오토 eMMC5.1 ▲오토 SSD PA101▲오토 SSD PA201 등 등급이 높아질수록 많은 양의 데이터를 고속으로 처리하는 자율주행 기술의 특성을 고려한 스토리지 제품 라인업이 소개됐습니다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 MWC 2026을 통해 AI 인프라를 비롯해 온디바이스, 자동차 전장 분야에 이르기까지 다양한 메모리 솔루션을 제시하고 회사의 브랜드 가치와 비전을 직접 체험해 볼 수 있도록 했다"고 말했습니다.