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이재용 부회장, 위기론 속 “창업 각오로 도전...차질없이 투자집행” 당부

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Sunday, June 16, 2019, 10:06:36

14일 삼성전자 수원캠퍼스서 IM 부문사장단 글로벌 전략회의 직접 보고 받아
DS부문은 2주 만에 다시 소집..이 부회장 “어떤 경영환경 변화에 흘들리지 말아”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 이재용 삼성전자 부회장이 삼성전자와 전자계열 관계사 사장단을 잇따앞서 소집했다. 최근 열린 삼성전자 부문별 글로벌전략 회의 결과를 보고 받는 등 경영 전략과 투자 현황을 직접 챙겼다. 

 

삼성전자에 따르면 지난 14일 이 부회장은 수원캠퍼스에서 IM부문 사장단으로부터 전날 열린 ‘IM부문 글로전략회의’ 결과를 보고 받았다. 이 자리에서 미래 신성장 동력이 될 첨단 선행 기술과 신규 서비스 개발을 통한 차별화 방안을 논의했다. 

 

이 자리에는 고동진 IM부문장 사장을 비롯해 노희찬 경영지원실장 사장, 노태문 무선사업부 개발실장 사장 등이 참석했다. 

 

삼성전자는 지난 13일 상반기 글로벌 전략회의를 열었다. 매년 상반기와 하반기로 나눠 진행하는 전략 회의다. 이 회의는 DS(디바이스솔루션)·IM·CE(소비자 가전) 등 3개 부문장이 직접 나서 각 사업부장과 관련 임원, 해외법인장 등 수 백명이 모여 사업 전략을 위해 머리를 맞댔다. 

 

다만, 이번 삼성전자 글로벌 전략회의는 부문장과 주요 임원 등만 참석해 기존보다 대폭 축소해 진행했따. 고동진 사장이 총괄하는 IM부문지난 13~14일 첫 회의를 열었고, 김기남 부회장이 이끄는 DS부문 전략은 오는 20~21일 열릴 예정이다. 

 

당초 CE부문은 글로벌 전략 회의를 여는 대신 김현석 사장을 비롯해 주요 임원 출장 일정에 맞춰 지역별 현안을 논의키로 했다. 

 

삼성전자에 따르면 이 부회장은 IM부문의 하반기 경영전략을 재점검하고, 어떠한 경영환경 변화에도 흔들리지 말고 미래를 위한 투자는 차질 없이 집행할 것을 주문했다. 

 

이날 회의에서는 5G 이후의  6G 이동통신, 블록체인, 차세대 AI 서비스 현황과 전망, 글로벌 플랫폼 기업과 협업 방안도 논의했다. 

 

이 부회장은 “지금은 어느 기업도 10년 뒤를 장담할 수 없다”며 “그 동안의 성과를 수성(守城)하는 차원을 넘어 새롭게 창업한다는 각오로 도전해야 한다”고 말했다.

 

앞서 이 부회장은 13일 DS부문 경영진과 2주만에 다시 간담회를 진행했다.  이 부회장은 지난 1일 DS 경영진과 만난 이후, 시스템 반도체에 대한 투자 집행 계획을 직접 챙기기 위해 2주 만에 다시 경영진을 소집한 것이다. 

 

또한 이날 간담회에서는 최근 경기둔화 우려에 따른 반도체 사업의 리스크 대응 체계를 재점검했다. 또 향후 글로벌 IT업계의 구도 변화 전망과 시나리오별 대응 방안도 논의했다. 

 

한편, 이 부회장은 17일(월)에는 삼성전기를 방문해 전장용 MLCC와 5G 이동통신 모듈 등 주요 신사업에 대한 투자 경쟁력 강화 방안도 직접 챙길 계획이다. 이어 CE부문 사장단과 타 관계사와의 간담회도 순차적으로 마련할 예정이다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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