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6월은 해외계좌 신고의 달...누락하면 벌금 폭탄

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Friday, June 14, 2019, 15:06:43

[최정욱의 이지고잉 회계세무] 지난해 보유계좌 잔액 5억원 이상 해당..미신고時 과태료·형사처벌

 

[최정욱 KB국민은행 공인회계사] 매년 6월 한 달은 해외금융계좌 신고제도에 따라 일정금액 이상의 해외금융계좌를 가지고 있는 국내 거주자나 내국법인이 그 계좌 내역을 신고하는 기간이다.

 

올해 신고대상은 지난해에 보유한 계좌의 월말 잔액 합계가 어느 하루라도 5억원 이상인 경우다. 올해 신고 분부터 그 기준금액이 10억원에서 5억원으로 낮아졌기 때문에 신고대상이 확대된 점을 유의해야 한다.

 

이 제도는 역외탈세를 방지하는 과세당국의 여러 방법 중 하나다. 납세자들에게 이 제도가 중요한 것은 신고의무 위반 때 받는 불이익이 매우 크기 때문이다.

 

우선, 신고기한 내에 신고하지 않거나 과소 신고한 경우 그 미신고 또는 과소 신고금액의 최대 20%에 해당하는 과태료가 부과된다. 또한 미신고 금액이 50억원을 초과하는 경우 추가적으로 벌금이 부과되거나 2년 이하의 징역에 해당하는 형사처벌을 받을 수 있다. 실제로 지난해까지 38명이 형사 고발당한 바 있다.

 

특히 국세청은 스위스, 싱가포르 등 총 79개 국가와 금융정보 자동교환을 진행하고 있으며, 올해는 홍콩 등 103개국으로 대상 국가를 늘릴 예정이다. 이밖에 과세당국은 역외거래와 관련해 여러 방법을 통해 검증하고 있으므로, 혹시나 하는 생각에 해외금융계좌 신고를 어물쩍 넘어가다가는 후회할 수 있다.

 

참고로 금융정보 자동교환은 한국과 미국간의 금융정보 자동교환(FATCA)과 다자간 금융정보 자동교환(CRS)으로 구분된다. 개인과 법인간의 교환되는 정보의 기준이 다소 상이하지만, 대부분의 금융계좌에 대해 계좌보유자 정보와 계좌번호, 이자 배당소득 등의 소득 정보가 모두 교환된다고 이해하면 된다.

 

한편, 해외사업장 또는 지점이 보유한 해외금융계좌도 포함해 신고해야 한다. 국내 모법인은 조세조약 미체결국에 소재한 지분 100% 해외현지법인(자회사·손자회사 등)이 보유한 해외금융계좌에 대해서도 자신이 보유한 것과 동일하게 보아 신고의무를 가지므로 이를 누락시키지 않도록 해야 한다.

 

한국 국적이 없더라도 국내 거주자인 경우 신고의무가 있으니 주의해야 한다. 재외국민이 국내에 거소를 둔 기간이 2년간 183일 이하인 경우, 외국인이 최근 10년 중 국내에 주소나 거소를 둔 기간이 5년 이하인 때는 신고의무가 없으므로 잘 따져봐야 한다.

 

신고기한을 놓치거나 신고의무 자체를 몰라서 신고하지 않거나 과소 신고하는 경우에는 자발적으로 신고하는 것이 합리적이다. 왜냐하면 수정신고나 기한 후 신고의 경우 과태료를 최대 70%까지 감경받을 수 있기 때문이다.

 

단, 이 때에는 미신고나 과소신고금액에 대해 자금 출처 소명을 받을 수 있다. 따라서 애초에 신고 자체를 누락시키지 않는 것이 가장 현명하다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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최정욱 공인회계사 기자 mirip@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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