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삼성전자, 반도체 협력사 정밀배관 인력 양성 지원

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Thursday, June 13, 2019, 11:06:00

삼성전자가 비용과 시설 지원해 협력사가 필요로 하는 우수인력 양성
13일, 2019년 1기 교육생 수료식..30명 전원 협력사 정규직 취업

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 삼성전자가 반도체 배관 전문가 배출에 적극 나서고 있다. 

 

13일 삼성전자에 따르면 반도체 인프라 전문 인력 양성 기관인 ‘반도체 정밀배관 기술 아카데미(Semiconductor-facilities Technology Academy, SfTA)’를 지원하고 있다. 

 

이번 ‘반도체 정밀배관 기술 아카데미’는 2018년 2월부터 삼성전자 반도체 8개 협력사가 설립해 운영하는 교육기관이다. ㈜파인텍, ㈜비엔에이치, ㈜비비테크, ㈜우신엔지니어링, ㈜위테크, ㈜한양기술공업, ㈜한양세미텍, ㈜백산이엔지 등이 참여하고 있다. 

 

삼성전자는 아카데미 운영에 필요한 비용과 시설, 설비, 재료 등을 지원한다. 교육생이 실제 반도체 생산시설과 동일한 구조에서 실무 중심의 맞춤형 지식과 기술을 습득할 수 있도록 돕는다.

 

또 ‘반도체 정밀배관 기술 아카데미’는 반도체 인프라 설계부터 시공까지 이론과 실습을 체계적으로 교육해 안전한 생산 현장을 만들고 제품 품질을 향상시킬 수 있는 프로그램을 운영한다.

 

2019년 1기 교육 수료생 30명은 13일 수료식을 마치고 삼성전자 반도체 8개 협력사에 정규직으로 취업할 예정이다. 이들은 반도체 인프라 설비 설치부터 유지, 보수까지 다양한 분야에서 활동할 계획이다.

 

이날 수료식에는 정장선 평택시장, 원유철 평택시(갑) 국회의원, 이보영 평택상공회의소 회장, 김창한 삼성전자 상생협력센터장, 장석준 파인텍 대표 등이 참석했다.

 

김창한 삼성전자 상생협력센터장은 “반도체 인프라 우수 인력 양성으로 생산 현장 전문성이 강화되고 있다”며 “안정적인 일자리를 지속 창출해 지역경제 활성화에도 기여하겠다”고 말했다.

 

㈜비엔에이치에 입사 예정인 김현진 교육 수료생은 “양질의 아카데미 교육을 통해 실무 중심의 지식과 경험을 쌓았다”고 말했다.

 

한편 ‘반도체 정밀배관 기술 아카데미’는 2018년 10월 평택시로부터 일자리 창출 우수사례로 선정돼 공로 표창을 수상했다. 현재까지 140명의 반도체 인프라 전문인력을 양성했으며, 올해에도 100여명의 교육 수료생을 배출할 계획이다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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