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이재용 부회장, 일본 1·2위 통신사 방문...“5G 상호협력 논의”

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Sunday, May 19, 2019, 09:05:37

지난 15일부터 日 최대 통신사 NTT도코모·KDDI 본사 찾아
5G 시대 본격 개막 앞두고 5G 조기 확산·서비스 안착 협의

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 삼성전자가 일본 통신사와 사업 협력을 위해 적극 나서고 있다. 이재용 삼성전자 부회장은 지난주 일본 통신사를 방문해 적극적인 글로벌 행보를 이어가는 모습을 보였다. 

 

19일 삼성전자에 따르면 이재용 삼성전자 부회장은 최근 일본 최대 통신사인 NTT 도코모(1위)와 KDDI (2위) 본사를 방문해 5G 사업 협력 방안을 논의했다. 

 

이 부회장은 지난 15일부터 사흘간 도쿄에 머물며 NTT도코모와 KDDI 본사를 잇따라 방문하고 주말에 귀국했다. 두 회사 경영진과 내년으로 예정된 현지 5G 시대 본격 개막을 앞두고, 5G를 성공적으로 안착하기 위한 의견을 교환한 것으로 알려졌다.

 

재계 관계자는 “이 부회장은 NTT 도코모와 KDDI 경영진을 각각 만난 자리에서 2020년 일본 5G 시대 개막에 대비해 5G 조기 확산과 서비스 안착을 위한 상호 협력을 강화하기로 했다”고 말했다. 

 

삼성전자는 NTT 도코모, KDDI와 협력을 통해 일본 5G 네트워크 사업 확대를 위한 기반을 조성한다는 계획이다. 이를 통해 일본에서 갤럭시 스마트폰 시장 점유율 반등 계기를 마련할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 

 

앞서 삼성전자는 지난 3월 갤럭시 쇼케이스 중 최대 규모인 ‘갤럭시 하라주쿠’를 도쿄에 개관하고 일본 스마트폰 시장 공략을 본격화했다. 지난해 일본 NEC와 5G 네트워크 장비 공동개발을 위한 협력 강화 계기로 5G 비즈니스에 박차를 가하고 있는 것이다. 

 

이 부회장은 이번 출장기간 중 ‘갤럭시 하라주쿠’를 깜짝 방문해 일본 현지 고객들 반응도 살피고, 임직원들도 격려한 것으로 알려졌다. 

 

고동진 삼성전자 IM(모바일)담당 사장도 지난 3월 2020년 도코올림릭을 앞두고 삼성이 일본 시장 공세를 강화하겠다고 밝힌 바 있다. 고 사장은 “삼성전자 첫 폴더블 스마트폰인 갤럭시 폴드를 올해 일본에 출시할 것”이라고 예고했다. 

 

갤럭시 폴드에는 일본 이동통신사 NTT 도코모와 KDDI 요청에 따라 일본 시장에 최적화된 맞춤 애플리케이션이 탑재될 것으로 예상된다.

 

삼성전자 측은 “무선통신분야의 올림픽 공식 파트너로 5G 서비스가 본격 적용되는 2020 도쿄올림픽의 성공적 개최를 지원할 예정이다”고 말했다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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